[发明专利]一种010择优取向的β-Ga2

权利要求书

1.一种010择优取向的β-Ga₂O₃薄膜的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：

1)将前驱体置于冷壁式激光化学气相沉积设备的原料罐中，然后将玻璃基板预处理后放入沉积腔体内，调整玻璃基板位置使其位于激光覆盖范围内，并将沉积腔体抽真空至10Pa以下；

2)向沉积腔体内通入稀释气体使沉积腔体内达到沉积压强，关闭稀释气体，然后将原料罐内前驱体加热至升华温度，打开激光照射玻璃基板表面，使玻璃基板达到沉积温度，同时向沉积腔体内通入载气和反应气进行沉积，沉积结束后依次关闭载气、反应气和激光，自然冷却至室温，即在玻璃基板上沉积得到010择优取向的β-Ga₂O₃薄膜。

2.根据权利要求1所述的010择优取向的β-Ga₂O₃薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1)所述前驱体为粉末状乙酰丙酮镓。

3.根据权利要求1所述的010择优取向的β-Ga₂O₃薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1)所述玻璃基板为石英玻璃基板，玻璃基板的预处理方法为：将玻璃基板依次放入丙酮和乙醇中超声清洗，然后用去离子水冲洗，最后用N₂将玻璃基板表面吹干。

4.根据权利要求1所述的010择优取向的β-Ga₂O₃薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2)所述稀释气体为Ar，Ar的纯度为99.999vol％以上，Ar的流量为100～500sccm。

5.根据权利要求1所述的010择优取向的β-Ga₂O₃薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2)所述沉积压强为100～10000Pa。

6.根据权利要求1所述的010择优取向的β-Ga₂O₃薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2)所述激光波长为800～1200nm。

7.根据权利要求1所述的010择优取向的β-Ga₂O₃薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2)所述载气为Ar，流量为100～200sccm，纯度为99.999vol％以上，所述反应气为O₂，流量为100～500sccm，纯度为99.999vol％以上。

8.根据权利要求1所述的010择优取向的β-Ga₂O₃薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2)沉积工艺条件为：沉积温度850～1100℃，沉积时间5～20min。

9.根据权利要求1所述的010择优取向的β-Ga₂O₃薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2)β-Ga₂O₃薄膜沉积生长速率为10～45μm/h。

10.根据权利要求1-9任一项所述制备方法得到的010择优取向的β-Ga₂O₃薄膜，其特征在于，所述薄膜为010择优取向的β-Ga₂O₃柱状晶组成的致密结构。