[发明专利]芯片研磨方向的确定方法、装置、芯片的研磨方法及系统有效
| 申请号: | 202211264325.1 | 申请日: | 2022-10-17 |
| 公开(公告)号: | CN115319638B | 公开(公告)日: | 2023-02-03 |
| 发明(设计)人: | 王丽雅;俞佩佩;胡明辉 | 申请(专利权)人: | 合肥新晶集成电路有限公司 |
| 主分类号: | B24B37/10 | 分类号: | B24B37/10;B24B37/005;B24B49/12;G01N1/28;G01N23/2202;G01N23/2251;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 王晓玲 |
| 地址: | 230012 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 芯片 研磨 方向 确定 方法 装置 系统 | ||
1.一种芯片研磨方向的确定方法,其特征在于,所述芯片包括多层结构,所述多层结构包括位于最外层的第一材料层以及与所述第一材料层层叠的至少一层第二材料层,所述确定方法包括:
获取所述多层结构的第一表面中目标区域的特征图像,其中,所述目标区域包括凹陷区域和凸起区域,所述凸起区域位于初步研磨后的所述第一材料层的裸露表面中,所述凹陷区域位于初步研磨后的所述第二材料层的裸露表面中,所述特征图像用于表征所述凹陷区域和所述凸起区域的特征信息,所述特征信息至少包括颜色信息;
根据所述凹陷区域和所述凸起区域的特征信息,生成位于所述目标区域中的第一分隔线,所述第一分隔线用于分隔所述凹陷区域和所述凸起区域,所述第一分隔线具有第一延伸方向;
根据所述第一延伸方向,确定研磨设备在所述目标区域的研磨方向,其中,所述研磨设备用于根据所述研磨方向,由所述凸起区域的内部研磨至所述凹陷区域,
所述获取所述多层结构的第一表面中目标区域的特征图像,包括:
获取所述目标区域的特征图像;
根据所述特征图像提取与所述凸起区域对应的第一颜色信息以及与所述凹陷区域对应的第二颜色信息,所述第一颜色信息和所述第二颜色信息用于表征不同颜色。
2.根据权利要求1所述的确定方法,其特征在于,所述凹陷区域位于多层所述第二材料层的裸露表面中,所述根据所述特征图像提取与所述凸起区域对应的第一颜色信息以及与所述凹陷区域对应的第二颜色信息,包括:
从所述特征图像中与所述凸起区域对应的部分提取所述第一颜色信息;
从所述特征图像中与所述凹陷区域对应的部分提取所述第二颜色信息,所述第二颜色信息包括与所述多层所述第二材料层一一对应的颜色信息。
3.根据权利要求1所述的确定方法,其特征在于,所述根据所述凹陷区域和所述凸起区域的特征信息,生成位于所述目标区域中的第一分隔线,包括:
根据所述第一颜色信息和所述第二颜色信息,确定所述凹陷区域和所述凸起区域的交界线;
根据所述交界线,确定所述第一分隔线。
4.根据权利要求3所述的确定方法,其特征在于,所述根据所述交界线,确定所述第一分隔线,包括:
将所述交界线拟合为直线;
确定所述直线为所述第一分隔线。
5.根据权利要求1所述的确定方法,其特征在于,所述根据所述第一延伸方向,确定研磨设备在所述目标区域的研磨方向,包括:
确定与所述第一延伸方向垂直的第二延伸方向;
确定所述第二延伸方向为所述目标区域的研磨方向。
6.根据权利要求3所述的确定方法,其特征在于,还包括:
根据所述第一延伸方向,生成位于所述目标区域中的待刻蚀标记,所述待刻蚀标记的延伸方向与所述第一延伸方向平行或垂直,所述待刻蚀标记用于表征所述目标区域中的凸起区域的位置。
7.一种用于确定芯片研磨方向的装置,其特征在于,所述芯片包括多层结构,所述多层结构包括位于最外层的第一材料层以及与所述第一材料层层叠的至少一层第二材料层,包括:
获取模块,用于获取所述多层结构的第一表面中目标区域的特征图像,其中,所述目标区域包括凹陷区域和凸起区域,所述凸起区域位于初步研磨后的所述第一材料层的裸露表面中,所述凹陷区域位于初步研磨后的所述第二材料层的裸露表面中,所述特征图像用于表征所述凹陷区域和所述凸起区域的特征信息,所述特征信息至少包括颜色信息;
生成模块,用于根据所述凹陷区域和所述凸起区域的特征信息,生成位于所述目标区域中的第一分隔线,所述第一分隔线用于分隔所述凹陷区域和所述凸起区域,所述第一分隔线具有第一延伸方向;
确定模块,用于根据所述第一延伸方向,确定研磨设备在所述目标区域的研磨方向,其中,所述研磨设备用于根据所述研磨方向,由所述凸起区域的内部研磨至所述凹陷区域,
所述获取模块还用于获取所述目标区域的特征图像;以及根据所述特征图像提取与所述凸起区域对应的第一颜色信息以及与所述凹陷区域对应的第二颜色信息,所述第一颜色信息和所述第二颜色信息用于表征不同颜色。
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