[发明专利]基板处理装置和基板处理方法在审
申请号: | 202211262351.0 | 申请日: | 2022-10-14 |
公开(公告)号: | CN115985836A | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
发明(设计)人: | 孙源湜;吴世勋;金袗圭;郑仁基;俞廷协 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/67 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 张凯 |
地址: | 韩国忠清南道天安*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
提供基板处理装置和基板处理方法,该装置包括:具有加工空间的加工容器;在加工空间中支承基板并旋转基板的支承单元;将加工液供应到由支承单元支承的基板的液体供应单元;以及加热基板的加热单元。支承单元包括:旋转自旋卡盘的驱动器;安装在自旋卡盘上以与之一起旋转的卡盘销;在卡盘销与基板的侧部接触的接触位置与卡盘销与基板的侧部间隔开的打开位置之间移动卡盘销的卡盘销移动单元。卡盘销移动单元包括:联接到卡盘销并与之一起旋转的第一驱动模块和面向第一驱动模块且不与自旋卡盘一起旋转的第二驱动模块,第一驱动模块包括第一磁性体,第二驱动模块包括面向第一磁性体的第二磁性体和在竖直方向上驱动第二磁性体的驱动构件。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年10月14日提交韩国知识产权局的、申请号为10-2021-0136377的韩国专利申请的优先权和权益,其全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本发明涉及一种基板处理装置和基板处理方法。
背景技术
为了制造半导体设备或液晶显示器,在基板上执行诸如光刻、灰化、离子注入、薄膜沉积和清洁等各种工艺。在各种工艺中,蚀刻工艺或清洁工艺是去除在基板上形成的薄膜的不必要区域、或者是蚀刻或者清洁异物、颗粒等的工艺,并且针对薄膜要求高选择性、高蚀刻率和蚀刻均匀性,并且由于半导体设备是高度集成的,所以要求更高水平的蚀刻选择性和蚀刻均匀性。
一般地,在基板的蚀刻工艺或清洁工艺中,顺序地执行加工液处理操作、冲洗处理操作和干燥处理操作。在一个示例中,在加工液处理操作中,将用于蚀刻在基板上形成的薄膜或者去除基板上的异物的加工液供应到基板以形成液团(puddle),并且然后加热加工液的液团以通过加工液促进蚀刻,并且在冲洗处理操作中,将冲洗液(诸如纯水)供应到基板上。
上述的加工液处理操作是通过将基板放置在支承单元上并且在旋转支承单元的情况下将加工液供应到基板上来执行。支承单元设置有卡盘销,这些卡盘销用于支承基板的侧部,以防止基板在旋转期间沿支承单元的侧向方向移动。卡盘销在待用位置(当基板被装载或卸载到支承单元上时,该待用位置为要放置的基板提供空间)与支承位置(在使放置在支承单元上的基板旋转的情况下,该支承位置在工艺被执行时与基板的侧部进行接触)之间移动。相应地,放置在待用位置中的卡盘销之间的空间大于放置在支承位置中的卡盘销之间的空间。
一般地,当液团在基板上形成时,由于基板与卡盘销之间的接触,会出现加工液沿着卡盘销向下流动的问题。此外,还有一个问题是,由于加工液沿卡盘销向下流动的现象,难以维持一定量的液膜。
发明内容
本发明致力于提供一种能够有效地处理基板的基板处理装置和基板处理方法。
本发明还致力于提供一种支承单元以及使用该支承单元的基板处理装置和方法,在该支承单元中,卡盘销在工艺期间通过旋转基板而自由移动。
本发明的目的不限于此,并且本领域普通技术人员将从以下描述中清楚地理解未提及的其他目的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造