[发明专利]光检测设备和电子装置在审

专利信息
申请号: 202211258563.1 申请日: 2020-02-14
公开(公告)号: CN115528056A 公开(公告)日: 2022-12-27
发明(设计)人: 小笠原隆行;横地界斗 申请(专利权)人: 索尼半导体解决方案公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L21/76;H01L21/762;H04N5/374
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 卫李贤;姚鹏
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 检测 设备 电子 装置
【说明书】:

本发明涉及光检测设备和电子装置。其中,光检测设备可包括:在平面图中布置在像素阵列中的多个像素组,包括彼此相邻的第一像素组和第二像素组,第一像素组和第二像素组各自包括:片上透镜;四个光电转换区域,对应于片上透镜;和设置在片上透镜和四个光电转换区域之间的滤色器;第一分离区域,包括第一材料并且在平面图中布置在第一像素组和第二像素组之间;以及第二分离区域,包括第二材料并且在平面图中布置在第一像素组的四个光电转换区域之间,其中,第二材料的折射率大于第一材料的折射率。

本申请是申请日为2020年2月14日、发明名称为“固体摄像装置和电子设备”的申请号为202080010136.4的专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及固体摄像装置和电子设备。

背景技术

近年来,存在如下所述的用于实现相位差的检测的技术:通过使光从相同的片上透镜入射到背面照射型互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器中的多个光电二极管中(例如,参见专利文献1)。

引用列表

专利文献

专利文献1:JP 2016-52041 A

发明内容

发明要解决的技术问题

然而,在上述相关技术中,存在如下情况:由于光是从相同的片上透镜入射到多个光电二极管上,因此入射光被大量散射在设置于多个光电二极管之间的分离区域中。然后,当被大量散射的光入射至另一光电二极管上时,像素阵列单元中可能会发生混色(colormixing)。

因此,本发明提出了一种能够抑制混色的发生的固体摄像装置和电子设备。

技术问题的解决方案

根据本发明,提供了一种固体摄像装置。所述固体摄像装置包括半导体层、多个片上透镜、第一分离区域和第二分离区域。所述半导体层设置有多个光电转换单元。所述多个片上透镜使光入射在相应的所述光电转换单元上。所述第一分离区域分离如下所述的多个所述光电转换单元:透过相同的所述片上透镜的光入射在被所述第一分离区域分离的多个所述光电转换单元上。所述第二分离区域分离如下所述的多个所述光电转换单元:透过不同的所述片上透镜的光入射在被所述第二分离区域分离的多个所述光电转换单元上。此外,所述第一分离区域具有高于所述第二分离区域的折射率。

发明的有益效果

根据本发明,能够提供能够抑制混色的发生的固体摄像装置和电子设备。注意,这里记载的效果不一定是限制性的,并且可以是本说明书中记载的任何效果。

附图说明

图1是示出了根据本发明实施方案的固体摄像装置的示意性构成示例的系统构成图。

图2是用于说明根据本发明实施方案的像素阵列单元的单位像素、滤色器和片上透镜的布置的平面图。

图3是沿着图2所示的线A-A截取的横截面图。

图4是用于说明在根据参考示例的像素阵列单元中的光散射状态的视图。

图5是用于说明在根据本发明实施方案的像素阵列单元中的光散射状态的视图。

图6是示出了根据本发明实施方案的单位像素的电路结构的电路图。

图7是用于说明根据本发明实施方案的第一变形例的像素阵列单元的第二分离区域的结构的视图。

图8是用于说明根据本发明实施方案的第一变形例的像素阵列单元的第一分离区域的结构的视图。

图9是示出了根据本发明实施方案的第二变形例的像素阵列单元的横截面结构的放大横截面图。

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