[发明专利]光检测设备和电子装置在审
| 申请号: | 202211258563.1 | 申请日: | 2020-02-14 |
| 公开(公告)号: | CN115528056A | 公开(公告)日: | 2022-12-27 |
| 发明(设计)人: | 小笠原隆行;横地界斗 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/76;H01L21/762;H04N5/374 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 卫李贤;姚鹏 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 检测 设备 电子 装置 | ||
1.一种光检测设备,包括:
多个像素组,在平面图中,所述多个像素组布置在像素阵列中,所述多个像素组包括彼此相邻的第一像素组和第二像素组,
所述第一像素组包括:
第一片上透镜;
四个光电转换区域,对应于所述第一片上透镜;和
第一滤色器,配置为透过第一波长范围中的光并且设置在所述第一片上透镜和所述第一像素组的所述四个光电转换区域之间;
所述第二像素组包括:
第二片上透镜;
四个光电转换区域,对应于所述第二片上透镜;和
第二滤色器,配置为透过第二波长范围中的光并且设置在所述第二片上透镜和所述第二像素组的所述四个光电转换区域之间;
第一分离区域,包括第一材料并且在所述平面图中布置在所述第一像素组和所述第二像素组之间;以及
第二分离区域,包括第二材料并且在所述平面图中布置在所述第一像素组的所述四个光电转换区域之间,
其中,所述第二材料的折射率大于所述第一材料的折射率。
2.根据权利要求1所述的光检测设备,其中,所述第一材料包括氧化硅或空气。
3.根据权利要求1所述的光检测设备,其中,所述第二材料包括氧化钽。
4.根据权利要求1所述的光检测设备,其中,所述第一分离区域和所述第二分离区域还包括第三材料。
5.根据权利要求4所述的光检测设备,其中,所述第三材料包括氧化铪。
6.根据权利要求1所述的光检测设备,其还包括设置在所述第一滤色器和所述第二滤色器之间的滤色器分离区域。
7.根据权利要求6所述的光检测设备,其中,所述滤色器分离区域与所述第一材料接触。
8.根据权利要求6所述的光检测设备,其中,所述滤色器分离区域包括选自由铝、钛、铜、钨组成的组中的至少一种材料。
9.根据权利要求1所述的光检测设备,其中,所述第一分离区域和所述第二分离区域不穿透半导体层,所述第一像素组的所述四个光电转换区域和所述第二像素组的所述四个光电转换区域设置在所述半导体层中。
10.根据权利要求1所述的光检测设备,其中,所述多个像素组还包括与所述第一像素组相邻的第三像素组、第四像素组和第五像素组,其中,所述第三像素组包括第三片上透镜和对应于所述第三片上透镜的四个光电转换区域,所述第四像素组包括第四片上透镜和对应于所述第四片上透镜的四个光电转换区域,并且所述第五像素组包括第五片上透镜和对应于所述第五片上透镜的四个光电转换区域。
11.根据权利要求10所述的光检测设备,其中,在所述平面图中,多个第一分离区域包围所述第一像素组,所述多个第一分离区域包括所述第一像素组和所述第二像素之间的所述第一分离区域、所述第一像素组和所述第三像素之间的第一分离区域、所述第一像素组和所述第四像素之间的第一分离区域,以及所述第一像素组和所第五像素组之间的第一分离区域。
12.根据权利要求10所述的光检测设备,其中,在所述平面图中,多个第一分离区域包围所述第一像素组中的所述第二分离区域,所述多个第一分离区域包括所述第一像素组和所述第二像素之间的所述第一分离区域、所述第一像素组和所述第三像素之间的第一分离区域、所述第一像素组和所述第四像素之间的第一分离区域,以及所述第一像素组和所述第五像素组之间的第一分离区域。
13.根据权利要求6所述的光检测设备,其中,所述第一滤色器为红色滤色器,且所述第二滤色器为绿色滤色器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





