[发明专利]半导体荧光复合颗粒及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体荧光复合颗粒，其特征在于，包括具有多个荧光纳米晶的半导体荧光材料、以及氧化物材料，所述氧化物材料致密包覆所述半导体荧光材料，所述半导体荧光材料与所述氧化物材料的摩尔比为1:1至1:100，所述荧光纳米晶的粒径大小为5nm至30nm，所述半导体荧光复合颗粒的粒径大小为100nm至500nm、密度为2g/cm³至7g/cm³、比表面积为10m²/g至200m²/g。

2.根据权利要求1所述的半导体荧光复合颗粒，其特征在于，

所述多个荧光纳米晶均匀分散在所述氧化物材料的内部，并且所述多个荧光纳米晶中的任意两个荧光纳米晶的粒径大小之间的差值为0nm至25nm。

3.根据权利要求1所述的半导体荧光复合颗粒，其特征在于，

所述荧光纳米晶与所述半导体荧光复合颗粒的外壁的间距不小于2nm。

4.根据权利要求1所述的半导体荧光复合颗粒，其特征在于，

所述半导体荧光材料具有阳离子，所述氧化物材料的氧离子与所述半导体荧光材料的阳离子间成键进行晶格锚定。

5.根据权利要求1所述的半导体荧光复合颗粒，其特征在于，

所述荧光纳米晶具有钙钛矿结构ABX₃，其中A为Li、Na、K、Rb或Cs，B为Ge、Sn、Pb、Cu、Mn、Ca、Sr或Ba，X为F、Cl、Br或I。

6.根据权利要求1所述的半导体荧光复合颗粒，其特征在于，

所述荧光纳米晶具有经卤化物BˊX₂修饰的钙钛矿结构ABX₃，其中A、(Bˊ+B)和X的摩尔比为1:1:3，且A为Cs、Rb或K；Bˊ和B不同，且各自独立为Pb、Zn、Ca或Ba；X为Cl、Br或I。

7.根据权利要求1所述的半导体荧光复合颗粒，其特征在于，

所述荧光纳米晶具有二元结构Dⁿ⁺Y^n-，其中n为1-10的整数，元素D与Y的摩尔比为1:1，且D为Zn、Cd、Hg、Al、Ga或In，Y为S、Se、Te、N、P、As或Sb。

8.根据权利要求1所述的半导体荧光复合颗粒，其特征在于，

所述荧光纳米晶具有IB-ⅢA-ⅥA族三元化合物型结构G⁺M³⁺(N^2-)₂，其中G⁺为Cu⁺或Ag⁺；M³⁺为In³⁺、Ga³⁺或Al³⁺；N^2-为S^2-或Se^2-，且G⁺、M³⁺和N^2-的摩尔比为0.5:0.5:1。

9.根据权利要求1所述的半导体荧光复合颗粒，其特征在于，

所述氧化物材料选自氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锆、氧化锌、氧化锡、和过渡金属氧化物中的任意一种。