[发明专利]Micro LED微显示芯片及其制作方法

说明书

本发明公开了一种Micro LED微显示芯片及其制作方法。所述Micro LED微显示芯片包括背光单元以及量子点光转换单元；所述量子点光转换单元包含量子点光转换材料以及光吸收材料，且所述光吸收材料的吸光波长与所述背光的波长相匹配；且所述量子点光转换材料与光吸收材料的质量比与所述量子点光转换材料和光吸收材料分别在所述背光的波长下的光吸收值的差值以及比值均相关。本发明所提供的Micro LED微显示芯片中量子点光转换单元提升了光转换层厚度，有利于激发光和发射光进行更多的散射和折射，使得激发光利用率增加；无需额外再形成滤光层，简化了工艺步骤，降低了成本，有利于Micro LED发光器件和显示单元的广泛应用。

技术领域

本发明涉及半导体发光技术领域，尤其涉及一种Micro LED微显示芯片及其制作方法。

背景技术

Micro LED显示技术是指以自发光的微米量级的LED为发光像素单元，将其组装到驱动面板上形成高密度LED阵列的显示技术。由于micro LED芯片尺寸小、集成度高、亮度高和自发光等特点，在显示方面与LCD、OLED相比在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势。

Micro LED的全彩化一直是显示行业所致力发展的方向，现有技术中，针对其全彩化可实现的方向之一为使用量子点进行色彩转换，通常是利用LED产生蓝色背光，然后在经过量子点光转换单元的转换，形成不同颜色的色光，但面对高亮度的蓝色led，量子点的吸收值显得有些不足，容易产生较大的蓝光溢出，进而现有技术中通常考虑使用彩色滤光片(colour filter，简称CF)进行滤光处理，虽然此方法可以有效的阻挡蓝光的溢出，但其牺牲了大部分的背光及发光亮度，不利于Micro LED在微显示领域的应用。

具体地，如图1所示，传统结构的发光结构包括量子点光转换层以及彩色滤光片层，这种方式就限制了量子点光转换单元的厚度和量子点的数量，进而影响了micro LED在高亮度情况下的显示性能：一方面，现有技术很难在高亮度的情况下实现全彩，二方面，量子点的吸收饱和点过低会导致转换率低，降低了发光效率以及光转换效率。

需要说明的是，公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解，其中包含本发明的发明人对于现有技术中的问题的挖掘和分析的内容，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种Micro LED微显示芯片及其制作方法。

为实现前述发明目的，本发明采用的技术方案包括：

第一方面，本发明提供一种Micro LED微显示芯片，包括背光单元以及量子点光转换单元，所述背光单元用于产生背光，所述量子点光转换单元用于基于所述背光转化产生色光；所述量子点光转换单元包含量子点光转换材料以及光吸收材料，且所述光吸收材料的吸光波长与所述背光的波长相匹配；且所述量子点光转换材料与光吸收材料的质量比与所述量子点光转换材料和光吸收材料分别在所述背光的波长下的光吸收值的差值以及比值均相关。

第二方面，本发明还提供一种Micro LED微显示芯片的制作方法，包括：

提供背光单元以及包含量子点光转换材料以及光吸收材料的混合液，所述光吸收材料的吸光波长与所述背光单元的背光波长相匹配；

利用所述混合液在所述背光单元的出光侧形成量子点光转换单元；

其中，所述混合液中，所述量子点光转换材料与光吸收材料的质量比与所述量子点光转换材料和光吸收材料分别在所述背光背光单元所发出的背光的波长下的光吸收值的差值以及比值均相关。

基于上述技术方案，与现有技术相比，本发明的有益效果至少包括：