[发明专利]Micro LED微显示芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 202211231357.1 | 申请日： | 2022-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN115663093A | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 张超;仉旭;庄永漳 | 申请（专利权）人： | 镭昱光电科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;H01L33/58;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | micro led 显示 芯片 及其 制作方法 | ||
1.一种Micro LED微显示芯片，包括背光单元以及量子点光转换单元，所述背光单元用于产生背光，所述量子点光转换单元用于基于所述背光转化产生色光；
其特征在于，所述量子点光转换单元包含量子点光转换材料以及光吸收材料，且所述光吸收材料的吸光波长与所述背光的波长相匹配；
且所述量子点光转换材料与光吸收材料的质量比与所述量子点光转换材料和光吸收材料分别在所述背光的波长下的光吸收值的差值以及比值均相关。
2.根据权利要求1所述的Micro LED微显示芯片，其特征在于，所述量子点光转换材料与光吸收材料的质量比满足如下的相关关系：
当OD2-OD1≤1时，M2＝M1×(OD2-OD1)×OD2/OD1
当OD2-OD1＞1时，M2＝M1×(OD2-OD1)×OD1/OD2/(OD2-1)2
其中，M1代表所述量子点光转换材料的质量，M2代表所述光吸收材料的质量，OD1代表所述量子点光转换材料的OD@背光的波长，OD2代表所述光吸收材料的OD@背光的波长。
3.根据权利要求1所述的Micro LED微显示芯片，其特征在于，所述背光的波长为450nm，所述光吸收材料在450nm波长处的透光率＜20％；
当所述量子点光转换材料转化产生的色光颜色为红色时，所述量子点光转换材料与光吸收材料的质量比为200∶1-10∶1；
当所述量子点光转换材料转化产生的色光颜色为绿色时，所述量子点光转换材料与光吸收材料的质量比为100∶1-1∶20。
4.根据权利要求1所述的Micro LED微显示芯片，其特征在于，所述光吸收材料包括无机纳米吸光材料和/或有机吸光材料；所述无机纳米吸光材料包括ZnSe、ZnSeS、PbS、InP、CuInS、CuInSe、GTO、ZnO、CsH3OW、CeO2、Co3O4以及Co2O3中的任意一种或两种以上的组合；所述有机吸光材料包括酞菁类、胡萝卜素类、蒽醌类、萘醌类、类黄酮类、姜黄素类、靛蓝类、以及叶绿素类的染料中的任意一种或两种以上的组合。
5.根据权利要求4所述的Micro LED微显示芯片，其特征在于，所述光吸收材料选自无机纳米吸光材料。
6.根据权利要求1所述的Micro LED微显示芯片，其特征在于，所述量子点光转换单元的厚度为1-20μm。
7.根据权利要求1所述的Micro LED微显示芯片，其特征在于，所述背光的波长为445-470nm，所述光吸收材料的吸光波长为380-470nm。
8.根据权利要求1所述的Micro LED微显示芯片，其特征在于，所述背光单元包括阵列排布的多个LED单元，每一LED单元能够单独被驱动，所述LED单元的尺寸为1-10微米。
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