[发明专利]阵列基板与其制造方法

说明书

本发明公开一种阵列基板与其制造方法，其中该阵列基板包含基板、介电层、主动元件、多个扇出导线与至少一虚置导线。基板具有显示区与扇出区。介电层位于基板上。主动元件在基板的显示区上。多个扇出导线电连接主动元件，两相邻的扇出导线之间具有第一间隙，介电层对应第一间隙的垂直投影的区域包含第一轻度掺杂区。至少一虚置导线位于扇出导线的外侧。

技术领域

本发明涉及阵列基板与其制造方法。

背景技术

阵列基板可包含显示区与非显示区。显示区可具有排列为阵列的像素以显示影像。非显示区可具有驱动电路以驱动显示区中的元件。驱动电路可通过围绕在显示区外围的扇出导线连接至显示区中的元件。扇出导线之间的线距会影响单位面积内的扇出导线数量。当扇出导线之间的线距越窄时，便可使单位面积内的扇出导线数量增加。

发明内容

本发明的一些实施方式提供一种阵列基板，包含基板、介电层、主动(有源)元件、多个扇出导线与至少一虚置导线。基板具有显示区与扇出区。介电层位于基板上。主动元件在基板的显示区上。多个扇出导线电连接主动元件，两相邻的扇出导线之间具有第一间隙，介电层对应第一间隙的垂直投影的区域包含第一轻度掺杂区。至少一虚置导线位于扇出导线的外侧。

在一些实施方式中，虚置导线与扇出导线的其中一者之间具有第二间隙，介电层对应第二间隙的垂直投影的区域包含第二轻度掺杂区。

在一些实施方式中，介电层还包含重度掺杂区，重度掺杂区与第二轻度掺杂区位于虚置导线的相对侧，且重度掺杂区的离子浓度高于第一轻度掺杂区和第二轻度掺杂区的离子浓度。

在一些实施方式中，介电层对应重度掺杂区与虚置导线的垂直投影之间的区域包含第三轻度掺杂区，重度掺杂区的离子浓度高于第三轻度掺杂区的离子浓度。

在一些实施方式中，第一轻度掺杂区的离子浓度实质等于第三轻度掺杂区的离子浓度。

在一些实施方式中，阵列基板还包含多个半导体层，在介电层中且在扇出导线下。

在一些实施方式中，半导体层的多个边缘具有多个第四轻度掺杂区。

在一些实施方式中，半导体层分别与扇出导线电连接。

在一些实施方式中，虚置导线与主动元件结构上分离。

在一些实施方式中，在第一轻度掺杂区中，沿着介电层的表面的方向上的浓度实质不变。

在一些实施方式中，阵列基板还包含多个屏蔽金属，在介电层与基板之间且在扇出导线下。

在一些实施方式中，屏蔽金属分别与扇出导线电连接。

在一些实施方式中，虚置导线的宽度比扇出导线的宽度还小。

本发明的一些实施方式提供一种制造阵列基板的方法，包含形成介电层于基板上。形成金属层于介电层上。形成光致抗蚀剂层于金属层上。通过半色调光掩模曝光光致抗蚀剂层，以在金属层上形成半色调光致抗蚀剂层，半色调光致抗蚀剂层在基板的扇出区上具有高度较高的第一部分与高度较低的第二部分，且半色调光致抗蚀剂层暴露金属层的一部分。进第一湿式蚀刻，以通过半色调光致抗蚀剂层移除部分的金属层，以形成金属图案于基板的扇出区上，并暴露介电层的第一区域。执行重度掺杂注入，以形成重度掺杂区于介电层的第一区域中。移除半色调光致抗蚀剂层的第二部分，以暴露金属图案的部分。进行第二湿式蚀刻，以通过半色调光致抗蚀剂层的第一部分移除金属图案的部分，并形成导线层，导线层包含多个扇出导线，扇出导线之间具有暴露的介电层的第二区域。执行轻度掺杂注入，以形成轻度掺杂区于介电层的第一区域与第二区域中。

本发明的一些实施方式在形成显示区中的导线层时，同时也使用半色调光掩模来形成阵列基板的扇出区中的扇出导线。当使用本发明的一些实施方式的制作工艺时，扇出区中的相邻扇出导线之间的线距可缩短，举例而言，窄于曝光分辨率的线距。

附图说明