[发明专利]阵列基板与其制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板，包含：

基板，具有显示区与扇出区；

介电层，位于该基板上；

主动元件，在该基板的该显示区上；

多个扇出导线，电连接该主动元件，两相邻的该些扇出导线之间具有第一间隙，该介电层对应该第一间隙的垂直投影的区域包含第一轻度掺杂区；以及

至少一虚置导线，位于该些扇出导线的外侧。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其中该虚置导线与该些扇出导线的其中一者之间具有第二间隙，该介电层对应该第二间隙的垂直投影的区域包含第二轻度掺杂区。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其中该介电层还包含重度掺杂区，该重度掺杂区与该第二轻度掺杂区位于该虚置导线的相对侧，且该重度掺杂区的离子浓度高于该第一轻度掺杂区和该第二轻度掺杂区的离子浓度。

4.如权利要求3所述的阵列基板，其中该介电层对应该重度掺杂区与该虚置导线的垂直投影之间的区域包含第三轻度掺杂区，该重度掺杂区的该离子浓度高于该第三轻度掺杂区的离子浓度。

5.如权利要求4所述的阵列基板，其中该第一轻度掺杂区的该离子浓度实质等于该第三轻度掺杂区的该离子浓度。

6.如权利要求1所述的阵列基板，还包含多个半导体层，在该介电层中且在该些扇出导线下。

7.如权利要求6所述的阵列基板，其中该些半导体层的多个边缘具有多个第四轻度掺杂区。

8.如权利要求6所述的阵列基板，其中该些半导体层分别与该些扇出导线电连接。

9.如权利要求1所述的阵列基板，其中该虚置导线与该主动元件结构上分离。

10.如权利要求1所述的阵列基板，其中在该第一轻度掺杂区中，沿着该介电层的表面的一方向上的浓度实质不变。

11.如权利要求1所述的阵列基板，还包含多个屏蔽金属，在该介电层与该基板之间且在该些扇出导线下。

12.如权利要求11所述的阵列基板，其中该些屏蔽金属分别与该些扇出导线电连接。

13.如权利要求1所述的阵列基板，其中该虚置导线的宽度比该些扇出导线的宽度还小。

14.一种制造阵列基板的方法，包含：

形成介电层于基板上；

形成金属层于该介电层上；

形成光致抗蚀剂层于该金属层上；

通过半色调光掩模曝光该光致抗蚀剂层，以在该金属层上形成半色调光致抗蚀剂层，该半色调光致抗蚀剂层在该基板的扇出区上具有高度较高的第一部分与高度较低的第二部分，且该半色调光致抗蚀剂层暴露该金属层的一部分；

进行第一湿式蚀刻，以通过该半色调光致抗蚀剂层移除该部分的该金属层，以形成金属图案于该基板的该扇出区上，并暴露该介电层的第一区域；

执行重度掺杂注入，以形成重度掺杂区于该介电层的该第一区域中；

移除该半色调光致抗蚀剂层的该第二部分，以暴露该金属图案的一部分；

进行第二湿式蚀刻，以通过该半色调光致抗蚀剂层的该第一部分移除该金属图案的该部分，并形成导线层，该导线层包含多个扇出导线，该些扇出导线之间具有暴露的该介电层的第二区域；以及

执行轻度掺杂注入，以形成轻度掺杂区于该介电层的第一区域与该第二区域中。