[发明专利]芳胺类化合物、电致发光器件和显示装置

说明书

一种芳胺类化合物、电致发光器件和显示装置，所述芳胺类化合物的结构通式为式I；其中，各个基团和取代基的含义与说明书中相同。本公开实施例的芳胺类化合物的极化率高，增大了折射率，可以作为光取出材料，提高器件的发光效率；而且，本公开实施例提供的芳胺类化合物的热稳定性好，可以保证采用蒸镀工艺形成光取出层的稳定性，延长器件的使用寿命；此外，本公开实施例提供的芳胺类化合物作为光取出材料可以有效保护器件免遭紫外光对内部器件的损伤。

技术领域

本公开实施例涉及但不限于显示技术领域，尤其涉及一种芳胺类化合物、电致发光器件和显示装置。

背景技术

近年来，有机电致发光器件(Organic Light Emitting Device，OLED)作为一种新型的平板显示逐渐受到更多的关注。由于其具有主动发光、发光亮度高、分辨率高、宽视角、响应速度快、低能耗以及可柔性化等特点，成为目前市场上炙手可热的主流显示产品。随着产品不断的发展，客户对于产品的分辨率要求越来越高，功耗要求数值越来越低。因此需要开发高效率、低电压、长寿命的器件。

根据出光的方向不同，OLED器件可以分为底发射OLED器件和顶发射OLED器件。在底发射器件中，光线从基板发出，反射电极在有机发光层上面，透明电极在有机发光层下。底发射OLED器件中的薄膜晶体管部分不能透过光线，导致发光面积变小。在顶发射器件中，透明电极在有机发光层上，反射电极在有机发光层下，所以光线从基板相反的方向射出，从而增加了光线透过面积。因此目前的OLED器件以顶发射器件为主。为了提高顶发射OLED器件的发光效率，简单有效的方法是在透明电极上形成光取出层(又叫覆盖层，CappingLayer,CPL)作为功能层，以提高器件的光耦合效率。设置有光取出层的发光器件可以改善出光模式，使原本被限制在器件内部的光线能够射出器件，表现出更高的光取出效率。

OLED器件中的光取出层为一层折射率较高的有机或无机透明材料。光取出层材料的折射率越高，取光效果越明显，器件的性能优化也更好；而且在紫外区的吸收增加，也可以保护器件免遭紫外光对内部器件的损伤。然而，目前的光取出层材料在可见光范围的折射率较低，导致光取出效率较低，对提高OLED器件发光效率的作用有限；而且对紫外光的吸收较小，导致不能有效保护器件免受紫外光损伤。

发明内容

以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制本申请的保护范围。

本公开实施例提供一种芳胺类化合物，所述芳胺类化合物的结构通式为：

其中，X为C(H)R2、O、NR3、S中的任意一种；

Y为O、NR4、S中的任意一种；

R1、R2、R3、R4各自独立地为氢、重氢、卤素、硝基、腈基、取代或未取代的C1至C30的烷基、取代或未取代的C2至C30的烯基、取代或未取代的C1至C30的烷氧基、取代或未取代的C1至C30的硫醚基、取代或未取代的C6至C50的芳基、取代或未取代的C2至C50的杂芳基中的任意一种；这里，取代的C1至C30的烷基、取代的C2至C30的烯基、取代的C1至C30的烷氧基、取代的C1至C30的硫醚基、取代的C6至C50的芳基、取代的C2至C50的杂芳基是指被一个或多个如下基团所取代：重氢、卤素、硝基、腈基、C1至C30的烷基、C2至C30的烯基、C1至C30的烷氧基、C1至C30的硫醚基、C6至C50的芳基和C2至C50的杂芳基；

Ar为取代基R5取代的C6至C60的芳基或取代基R6取代的C6至C60的杂芳基；这里，所述取代基R5、R6各自独立地为未取代的C6至C60的芳基、取代基R7取代的C6至C60的芳基、未取代的C6至C60的杂芳基和取代基R8取代的C6至C60的杂芳基中的任意一个或多个；这里，所述取代基R7、R8各自独立地为C6至C60的芳基中的任意一个或多个；