[发明专利]芳胺类化合物、电致发光器件和显示装置

权利要求书

1.一种芳胺类化合物，其特征在于，所述芳胺类化合物的结构通式为：

其中，X为C(H)R2、O、NR3、S中的任意一种；

Y为O、NR4、S中的任意一种；

R1、R2、R3、R4各自独立地为氢、重氢、卤素、硝基、腈基、取代或未取代的C1至C30的烷基、取代或未取代的C2至C30的烯基、取代或未取代的C1至C30的烷氧基、取代或未取代的C1至C30的硫醚基、取代或未取代的C6至C50的芳基、取代或未取代的C2至C50的杂芳基中的任意一种；这里，取代的C1至C30的烷基、取代的C2至C30的烯基、取代的C1至C30的烷氧基、取代的C1至C30的硫醚基、取代的C6至C50的芳基、取代的C2至C50的杂芳基是指被一个或多个如下基团所取代：重氢、卤素、硝基、腈基、C1至C30的烷基、C2至C30的烯基、C1至C30的烷氧基、C1至C30的硫醚基、C6至C50的芳基和C2至C50的杂芳基；

Ar为取代基R5取代的C6至C60的芳基或取代基R6取代的C6至C60的杂芳基；这里，所述取代基R5、R6各自独立地为未取代的C6至C60的芳基、取代基R7取代的C6至C60的芳基、未取代的C6至C60的杂芳基和取代基R8取代的C6至C60的杂芳基中的任意一个或多个；这里，所述取代基R7、R8各自独立地为C6至C60的芳基中的任意一个或多个；

L1为单键、取代或未取代的C6至C50的亚芳基、取代或未取代的C2至C50的亚杂芳基中的任意一种，这里，取代的C6至C50的亚芳基、取代的C2至C50的亚杂芳基是指被一个或多个如下基团所取代：重氢、卤素、硝基、腈基、C6至C50的芳基、C2至C50的杂芳基。

2.根据权利要求1所述的芳胺类化合物，其特征在于，Ar为下述基团中的任意一种：

3.根据权利要求1所述的芳胺类化合物，其特征在于，X为O、S、-C(H)R2、NR3中的任意一种，R2为氢、苯基中的任意一种，R3为苯基、联苯基中的任意一种。

4.根据权利要求1所述的芳胺类化合物，其特征在于，Y为O、-NR4、S中的任意一种，R4为苯基。

5.根据权利要求1所述的芳胺类化合物，其特征在于，所述芳胺类化合物为下述化合物中的任意一种：

/

/

/

/

/

/

6.根据权利要求1至4中任一项所述的芳胺类化合物，其特征在于，

所述芳胺类化合物在460nm波长处的折射率在2.18至2.35范围内；

所述芳胺类化合物在530nm波长处的折射率在1.98至2.1范围内；

所述芳胺类化合物在620nm波长处的折射率在1.91至2.04范围内。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的芳胺类化合物，其特征在于，所述芳胺类化合物在400nm波长处的吸光系数在0.841以上，在450nm波长及大于450nm波长处的吸光系数为零。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的芳胺类化合物，其特征在于，Ar中含有具有共轭平面的片段，并且，所述芳胺类化合物满足：

在450nm至530nm波长处，α＞700bohr³；

在620nm波长处，α＞600bohr³；

其中，α为所述芳胺类化合物的极化率。

9.根据权利要求1至4中任一项所述的芳胺类化合物，其特征在于，所述芳胺类化合物满足：

5000bohr³＜V＜6000bohr³；

其中，V为所述芳胺类化合物的分子体积。

10.根据权利要求1至4中任一项所述的芳胺类化合物，其特征在于，所述芳胺类化合物满足：

θ＜80°；

其中，θ为Ar中任意两个相邻片段之间的扭转角。