[发明专利]图像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种图像传感器，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底内具有感光二极管；

栅极氧化层和栅极多晶硅层，依次形成在所述衬底上；

侧墙，形成在所述栅极氧化层和所述栅极多晶硅层的侧壁；

保护层，至少位于所述侧墙侧边的衬底上，且所述保护层至少部分正对所述感光二极管；

耗尽区，至少形成在正对所述感光二极管的所述保护层和所述保护层下方的所述衬底内。

2.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述氧化层的厚度为

3.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，形成所述保护层的材料为氧化硅。

4.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还具有轻掺杂区和重掺杂区，所述轻掺杂区形成在所述衬底上，所述轻掺杂区和所述耗尽区分别位于所述栅极多晶硅两侧，所述重掺杂区位于所述轻掺杂区内。

5.一种图像传感器的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底内具有感光二极管；

在所述衬底上依次形成栅极氧化层和栅极多晶硅层；

在所述栅极氧化层和所述栅极多晶硅层的侧壁形成侧墙；

在所述衬底上形成保护层，所述保护层至少位于所述侧墙侧边的衬底上，且所述保护层至少部分正对所述感光二极管；

执行第一离子注入工艺形成耗尽区，所述耗尽区至少形成在正对所述感光二极管的所述保护层和所述保护层下方的所述衬底内。

6.如权利要求5所述的一种图像传感器的制造方法，其特征在于，形成所述保护层的材料为氧化硅。

7.如权利要求5所述的一种图像传感器的制造方法，其特征在于，所述保护层的厚度为

8.如权利要求5所述的一种图像传感器的制造方法，其特征在于，形成所述保护层的方法包括：在所述衬底上形成保护材料层，刻蚀去除位于所述多晶硅层和所述侧墙上的所述保护材料层后形成所述保护层。

9.如权利要求5所述的一种图像传感器的制造方法，其特征在于，在形成所述栅极氧化层和所述栅极多晶硅层之前，所述方法还包括：对所述衬底执行第二离子注入工艺，以在所述衬底上形成轻掺杂区，以使所述轻掺杂区和所述耗尽区分别位于所述栅极多晶硅两侧；以及，

在形成所述侧墙之后，所述方法还包括：执行所述第三离子注入工艺，以在所述衬底的所述轻掺杂区内形成重掺杂区。

10.如权利要求9所述的一种图像传感器的制造方法，其特征在于，所述第一离子注入工艺注入P型离子，所述第二离子注入工艺和所述第三离子注入工艺注入N型离子。