[发明专利]阵列基板和显示面板

说明书

本申请公开了一种阵列基板和显示面板，属于显示技术领域。所述阵列基板包括：衬底基板，以及设置于所述衬底基板上的栅极、栅绝缘层和有源层；所述有源层包括层叠设置的第一有源层和第二有源层；其中，所述第一有源层靠近所述栅极设置，所述第二有源层位于所述第一有源层背离所述栅极的一侧；所述第一有源层的迁移率高于所述第二有源层的迁移率。本申请的阵列基板采用掺杂稀土元素的叠层有源层，得到了具备高迁移率、低关态电流、高稳定性的阵列基板。

技术领域

本申请涉及显示领域，具体涉及一种阵列基板和显示面板。

背景技术

随着高分辨率、高清晰度的显示设备市场需求进一步增加，金属氧化物凭借其相对非晶硅更高的迁移率及相对低温多晶硅更低的漏电流，且与当前工艺较为兼容及出色的制程均匀性等特点，成为了近年来阵列基板领域研究的热点，越来越多被应用在LCD和AMOLED的显示器件中。但碍于当前常规的氧化铟镓锌器件迁移率相对较低，目前还难以应用于对于分辨率和清晰度要求更高的智能终端高端产品中。

因此，亟需提供一种性能优异的阵列基板，用以解决现有技术的问题。

发明内容

本申请的目的在于提供一种阵列基板，可以提高器件迁移率，解决了上述现有技术的不足。

本申请提供一种阵列基板，包括：

衬底基板，以及设置于所述衬底基板上的栅极、栅绝缘层和有源层；

所述有源层包括层叠设置的第一有源层和第二有源层；其中，所述第一有源层靠近所述栅极设置，所述第二有源层位于所述第一有源层背离所述栅极的一侧；

所述第一有源层的迁移率高于所述第二有源层的迁移率。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述有源层的材料包括氧化物半导体和稀土金属氧化物。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述氧化物半导体包括氧化铟镓锌、氧化铟镓锡、氧化铟镓、氧化铟和氧化铟锌中的一种或多种。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述稀土金属氧化物中的稀土元素包括钐、铽、镝、铕、铒、锡、镧、铈、镱和镨中的一种或多种。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一有源层中的稀土元素包括钐、铽、镝、铕、铒和锡中的一种或多种。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一有源层中的稀土金属氧化物的掺杂比为0.001-0.1。进一步地，所述第一有源层中的稀土金属氧化物的掺杂比为0.01-0.05。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二有源层中的稀土元素包括镧、铽、镝、铈、铒、镱和镨中的一种或多种。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二有源层中的稀土金属氧化物的掺杂比为0.1-0.3。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二有源层中的稀土金属氧化物的掺杂比与所述第一有源层中的稀土金属氧化物的掺杂比相同，所述第二有源层中的稀土元素的迁移率比所述第一有源层中的稀土元素的迁移率低。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二有源层中的稀土元素与所述第一有源层中的稀土元素相同，所述第二有源层中的稀土金属氧化物的掺杂比为0.15-0.3。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二有源层中的稀土元素与所述第一有源层中的稀土元素不相同，且所述第二有源层中的稀土元素的迁移率比所述第一有源层中的稀土元素低，所述第二有源层中的稀土金属氧化物的掺杂比为0.1-0.3。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一有源层内掺杂的稀土金属氧化物的迁移率高于所述第二有源层内稀土金属氧化物的迁移率。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列基板包括：

衬底基板；