[发明专利]阵列基板和显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

衬底基板，以及设置于所述衬底基板上的栅极、栅绝缘层和有源层；

所述有源层包括层叠设置的第一有源层和第二有源层；其中，所述第一有源层靠近所述栅极设置，所述第二有源层位于所述第一有源层背离所述栅极的一侧；

所述第一有源层的迁移率高于所述第二有源层的迁移率。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层的材料包括氧化物半导体和稀土金属氧化物，所述氧化物半导体包括氧化铟镓锌、氧化铟镓锡、氧化铟镓、氧化铟和氧化铟锌中的一种或多种，所述稀土金属氧化物中的稀土元素包括钐、铽、镝、铕、铒、锡、镧、铈、镱和镨中的一种或多种。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一有源层中的稀土元素包括钐、铽、镝、铕、铒和锡中的一种或多种；

所述第一有源层中的稀土金属氧化物的掺杂比为0.001-0.1。

4.根据权利要求2或3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二有源层中的稀土元素包括镧、铽、镝、铈、铒、镱和镨中的一种或多种，所述第二有源层中的稀土金属氧化物的掺杂比为0.1-0.3。

5.根据权利要求2或3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二有源层中的稀土金属氧化物的掺杂比与所述第一有源层中的稀土金属氧化物的掺杂比相同，所述第二有源层中的稀土元素的迁移率比所述第一有源层中的稀土元素的迁移率低。

6.根据权利要求2或3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二有源层中的稀土元素与所述第一有源层中的稀土元素相同，所述第二有源层中的稀土金属氧化物的掺杂比为0.15-0.3。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：

衬底基板；

第二有源层，设置在所述衬底基板上；

第一有源层，设置在所述第二有源层上，所述第一有源层包括源区、沟道区及漏区；

栅绝缘层，设置在所述第一有源层上的沟道区；

栅极，设置在所述栅绝缘层上；

源极，设置在所述第一有源层上的源区；

漏极，设置在所述第一有源层上的漏区；

钝化层，设置在所述第二有源层、所述第一有源层、所述栅绝缘层、所述栅极、所述源极和所述漏极上。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：

衬底基板；

栅极，设置在所述衬底基板上；

栅绝缘层，设置在所述栅极和所述衬底基板上；

第一有源层，设置在所述栅绝缘层上；

第二有源层，设置在所述第一有源层上；所述第二有源层包括源区、沟道区及漏区；

源极，设置在所述第二有源层上的源区；

漏极，设置在所述第二有源层上的漏区；

钝化层，设置在所述栅极、所述栅绝缘层、所述第一有源层、所述第二有源层、所述源极和所述漏极上。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括刻蚀阻挡层；

所述刻蚀阻挡层设置在所述第二有源层与所述源极、所述漏极之间；所述刻蚀阻挡层设置在所述第二有源层上的沟道区以及部分的源区和部分的漏区。

10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-9中任意一项所述的阵列基板。