[发明专利]存储器装置和操作存储器装置的方法

说明书

本公开提供了存储器装置和操作存储器装置的方法。该存储器装置包括：第一主插塞，其在垂直方向上形成在基板上方并布置在第一方向上；第二主插塞；第三主插塞，其布置在第一主插塞和第二主插塞之间，所述第三主插塞与所述第一主插塞和所述第二主插塞相邻；以及位线，其在所述第一主插塞至所述第三主插塞上方，其中，所述第一主插塞至第三主插塞中的每一个包括彼此面对的第一子插塞和第二子插塞，其中，所述第一主插塞和所述第三主插塞中的每一个中所包括的所述第一子插塞和所述第二子插塞的部分联接到不同的选择线，并且其中，所述第二主插塞和所述第三主插塞中的每一个中所包括的所述第一子插塞和所述第二子插塞的部分联接到不同的选择线。

技术领域

各种实施方式总体上涉及存储器装置，并且更具体地，涉及三维存储器装置和存储器装置的操作方法。

背景技术

存储器装置可以分为当电力供应受阻时丢失所存储的数据的易失性存储器装置以及即使在电力供应受阻时也保留所存储的数据的非易失性存储器装置。

非易失性存储器装置可以包括NAND闪存存储器、NOR闪存存储器、电阻式随机存取存储器(ReRAM)、相变随机存取存储器(PRAM)、磁阻式随机存取存储器(MRAM)、铁电随机存取存储器(FRAM)和自旋传递力矩随机存取存储器(STT-RAM)。

在这些存储器当中，NAND闪存存储器中所包括的存储器单元可以联接在字线和位线之间，并可以通过施加到字线和位线的电压进行编程或读取。

发明内容

根据实施方式，一种存储器装置可以包括：第一主插塞，该第一主插塞在垂直方向上形成在基板上方并布置在第一方向上；第二主插塞，该第二主插塞与所述第一主插塞基本上平行地布置；第三主插塞，该第三主插塞在所述第一主插塞和所述第二主插塞之间布置在所述第一方向上，所述第三主插塞在斜向方向上与所述第一主插塞和所述第二主插塞相邻；以及位线，该位线在所述第一主插塞至所述第三主插塞上方彼此分隔开，其中，第一主插塞至第三主插塞中的每一个包括在与所述第一方向基本上正交的第二方向上彼此面对的第一子插塞和第二子插塞，其中，所述第一主插塞和所述第三主插塞中的每一个中所包括的所述第一子插塞的部分和所述第二子插塞的部分联接到不同的选择线，并且其中，所述第二主插塞和所述第三主插塞中的每一个中所包括的所述第一子插塞的部分和所述第二子插塞的部分联接到不同的选择线。

根据实施方式，一种操作存储器装置的方法可以包括以下步骤：将M位的页数据划分为均包括M/2位的页数据的第一数据组和第二数据组，其中，M为正整数；将所述第一数据组编程到与所选字线联接的第一存储器单元中；以及将所述第二数据组编程到与所选字线联接的第二存储器单元中。

根据实施方式，一种操作存储器装置的方法可以包括以下步骤：将M位的页数据划分为第一数据组和第二数据组，其中，M为正整数；将所述第一数据组中所包括的逻辑页数据划分为第一逻辑页数据组和第二逻辑页数据组；将所述第二数据组中所包括的逻辑页数据划分为第三逻辑页数据组和第四逻辑页数据组；将所述第一逻辑页数据组编程到通过第一选择线选择的第一存储器单元中；将所述第二逻辑页数据组编程到通过与所述第一选择线形成一对的第二选择线选择的第二存储器单元中；将所述第三逻辑页数据组编程到通过第三选择线选择的第三存储器单元中；以及将所述第四逻辑页数据组编程到通过与所述第三选择线形成一对的第四选择线选择的第四存储器单元中。

附图说明

图1是例示了根据本公开的实施方式的存储器系统的示图；

图2是例示了根据本公开的实施方式的存储器装置的示图；

图3是例示了存储器单元阵列和外围电路的布置的示图；

图4是例示了存储器单元阵列的结构的示图；

图5是例示了存储块的结构的示图；

图6是例示了子插塞的结构的平面图；