[发明专利]存储器装置和操作存储器装置的方法

权利要求书

1.一种存储器装置，该存储器装置包括：

第一主插塞，所述第一主插塞在垂直方向上形成在基板上，并且布置在第一方向上；

第二主插塞，所述第二主插塞与所述第一主插塞平行地布置；

第三主插塞，所述第三主插塞在所述第一主插塞和所述第二主插塞之间布置在所述第一方向上，所述第三主插塞在斜向方向上与所述第一主插塞和所述第二主插塞相邻；以及

位线，所述位线在所述第一主插塞至所述第三主插塞上方彼此分隔开，并且

其中，所述第一主插塞至所述第三主插塞中的每一个包括在与所述第一方向正交的第二方向上彼此面对的第一子插塞和第二子插塞，

其中，所述第一主插塞和所述第三主插塞中的每一个中所包括的所述第一子插塞的部分和所述第二子插塞的部分联接到不同的选择线，并且

其中，所述第二主插塞和所述第三主插塞中的每一个中所包括的所述第一子插塞的部分和所述第二子插塞的部分联接到不同的选择线。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述位线包括：

第一位线，所述第一位线联接到所述第一主插塞和所述第二主插塞中所包括的所述第一子插塞；

第二位线，所述第二位线与所述第一位线相邻并且联接到所述第一主插塞和所述第二主插塞中所包括的所述第二子插塞；

第三位线，所述第三位线与所述第二位线相邻并且联接到所述第三主插塞中所包括的所述第二子插塞；以及

第四位线，所述第四位线与所述第三位线相邻并且联接到所述第三主插塞中所包括的所述第一子插塞。

3.根据权利要求2所述的存储器装置，该存储器装置还包括：

第一接触件，所述第一接触件形成在所述第一主插塞和所述第二主插塞中所包括的所述第一子插塞和所述第一位线之间；

第二接触件，所述第二接触件形成在所述第一主插塞和所述第二主插塞中所包括的所述第二子插塞和所述第二位线之间；

第三接触件，所述第三接触件形成在所述第三主插塞中所包括的所述第二子插塞和所述第三位线之间；以及

第四接触件，所述第四接触件形成在所述第三主插塞中所包括的所述第一子插塞和所述第四位线之间。

4.根据权利要求2所述的存储器装置，该存储器装置还包括在所述垂直方向上将所述第一子插塞和所述第二子插塞分离的沟道隔离图案。

5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，所述第一子插塞和所述第二子插塞中的每一个包括：

芯柱，所述芯柱在垂直方向上形成在所述基板上；

沟道层，所述沟道层围绕所述芯柱的侧表面；

隧道隔离层，所述隧道隔离层围绕所述沟道层的侧表面；

电荷捕获层，所述电荷捕获层围绕所述隧道隔离层的侧表面；以及

阻挡层，所述阻挡层围绕所述电荷捕获层的侧表面。

6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，所述沟道隔离图案在所述垂直方向上将所述第一子插塞中所包括的所述沟道层和所述芯柱与所述第二子插塞中所包括的所述沟道层和所述芯柱分离。

7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，所述沟道隔离图案还在所述垂直方向上将所述第一子插塞中所包括的所述隧道隔离层、所述电荷捕获层和所述阻挡层与所述第二子插塞中所包括的所述隧道隔离层、所述电荷捕获层和所述阻挡层分离。

8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一主插塞中所包括的所述第一子插塞联接到第一选择线，

其中，所述第二主插塞中所包括的所述第二子插塞联接到第二选择线，并且

其中，所述第三主插塞中所包括的所述第一子插塞和所述第二子插塞、所述第一主插塞中所包括的所述第二子插塞和所述第二主插塞中所包括的所述第一子插塞联接到布置在所述第一选择线和所述第二选择线之间的第三选择线。

9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，所述第一选择线至所述第三选择线形成在同一层上。