[发明专利]LED芯片、LED器件、消杀设备及LED芯片制备方法

说明书

本申请实施例公开了一种LED芯片、LED器件、消杀设备及LED芯片制备方法，该LED芯片包括第一半导体层、多个凸台、反光膜、第一电极及第二电极，第一半导体层具有第一上表面；各凸台均凸设于第一上表面，各凸台包括发光层和第二半导体层，各凸台具有第二上表面及设于第二上表面周侧的六个侧表面，各侧表面均连接第一上表面和第二上表面；反光膜设于各侧表面；第一电极设于第一上表面并位于凹槽内；第二电极设于凸台的第二上表面。对于该LED芯片，在第一半导体层的第一上表面形成点状分布且具有六个侧表面的多个凸起，各侧表面附着有反光膜，该侧表面的反光膜能够将侧面光反射回出光面，降低了侧表面出光的光损耗，提高了LED芯片的出光效率。

技术领域

本发明涉及光电子制造技术领域，具体涉及一种LED芯片及制备方法。

背景技术

LED(light-emitting diode，发光二极管)作为生产生活中重要的照明手段之一，已经涉及到照明显示、杀菌消毒、检验检测等多个领域。目前，对于LED领域，尤其是深紫外LED领域，电光转换效率是衡量LED好坏的关键性能指标之一，而出光效率是影响电光转换效率的关键因素之一。

相关技术中，LED芯片包括有源区，有源区产生的光是朝360度全方向发射，而LED芯片通常只有一个有效出光面，这就造成很大一部分光在LED芯片内部耗散掉，从而造成了降低了出光效率。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种提高出光效率的LED芯片、LED器件、消杀设备及LED芯片制备方法。

为实现上述目的，本发明实施例提出一种LED芯片结构，包括：

衬底；

缓冲层，设于衬底的上表面

第一半导体层，设于缓冲层的上表面，第一半导体层具有第一上表面；

多个凸台，各凸台均凸设于第一上表面，各凸台包括依次层叠于第一上表面的发光层和第二半导体层，各凸台具有第二上表面及设于第二上表面周侧的六个侧表面，各侧表面均连接第一上表面和第二上表面，该侧表面与第一上表面之间呈钝角设置，相邻的两个凸台的相邻侧表面之间形成凹槽；

反光膜，设于各侧表面；

第一电极，设于第一半导体层的第一上表面；

第二电极，设于凸台的第二上表面。

在一些实施例中，侧表面和第一上表面之间的夹角大于等于110度且小于等于150度。

在一些实施例中，在沿第一方向上，凸台有多排；在与第一方向呈夹角设置的第二方向上，相邻两排的凸台错开设置。

在一些实施例中，第一半导体层是n型半导体层，发光层是多量子阱层，第二半导体层是p型半导体层。

在一些实施例中，反光膜包括依次层叠于侧表面的隔绝层、透光层、反光层及保护层，第二电极是该反光层。

在一些实施例中，隔绝层是SiO2层，透光层是MgF₂层，第二电极的材料添加有Rh元素，保护层是SiO2层。

一种LED器件，包括LED芯片及基板，该LED芯片封装于该基板。

一种消杀设备，包括LED器件，该LED器件是深紫外光LED器件。一种LED芯片的制备方法，包括，

在衬底上依次生长缓冲层、n型半导体层、多量子阱层及p型半导体层；

自p型半导体层的第二上表面开设延伸至n型半导体层第一上表面或延伸到所述n型半导体层内部的网格状凹槽，凹槽具有槽侧面，槽侧面与第一上表面呈钝角设置；

在凹槽的槽侧面形成反光膜；