[发明专利]LED芯片、LED器件、消杀设备及LED芯片制备方法

权利要求书

1.一种LED芯片，其特征在于，包括，

衬底；

缓冲层，设于所述衬底的上表面

第一半导体层，设于所述缓冲层的上表面，所述第一半导体层具有第一上表面；

多个凸台，各所述凸台均凸设于所述第一上表面，各所述凸台包括依次层叠于所述第一上表面的发光层和第二半导体层，各所述凸台具有第二上表面及设于所述第二上表面周侧的六个侧表面，各所述侧表面均连接所述第一上表面和所述第二上表面，所述侧表面与所述第一上表面之间呈钝角设置，相邻的两个所述凸台的相邻所述侧表面之间形成凹槽；

反光膜，设于各所述侧表面；

第一电极，设于所述第一半导体层的第一上表面；

第二电极，设于所述凸台的第二上表面。

2.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述侧表面和所述第一上表面之间的夹角大于等于110度且小于等于150度。

3.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，在沿第一方向上，所述凸台有多排；在与所述第一方向呈夹角设置的第二方向上，相邻两排的所述凸台错开设置。

4.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一半导体层是n型半导体层，所述发光层是多量子阱层，所述第二半导体层是p型半导体层。

5.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述反光膜包括依次层叠于所述侧表面的隔绝层、透光层、反光层及保护层，所述第二电极是所述反光层。

6.如权利要求5所述的LED芯片，其特征在于，所述隔绝层是SiO2层，所述透光层是MgF₂层，所述第二电极的材料添加有Rh元素，所述保护层是SiO2层。

7.一种LED器件，其特征在于，包括，

如权利要求1-6中任意一项所述的LED芯片；及，

基板，所述LED芯片封装于所述基板。

8.一种消杀设备，其特征在于，包括权利要求7所述的LED器件，所述LED器件是深紫外光LED器件。

9.一种LED芯片制备方法，其特征在于，包括，

在衬底上依次生长缓冲层、n型半导体层、多量子阱层及p型半导体层；

自所述p型半导体层的第二上表面开设延伸至所述n型半导体层第一上表面或延伸到所述n型半导体层内部的网格状凹槽，所述凹槽具有槽侧面，所述槽侧面与所述第一上表面呈钝角设置；

在所述凹槽的槽侧面形成反光膜；

在所述第一上表面形成n型电极，在所述第二上表面形成p型电极。

10.如权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述槽侧面和所述第一上表面的夹角大于等于110度且小于等于150度。