[发明专利]字线驱动器以及存储装置

说明书

本公开实施例提供一种字线驱动器以及存储装置，字线驱动器包括：第一保持晶体管和第二保持晶体管；有源区，有源区包括：沿第一方向延伸的主体部以及与部分主体部相邻接且位于主体部一侧的凸出部，凸出部具有第一源区和第二源区；栅极，栅极至少位于主体部中与凸出部正对的部分区域上方；第一漏区以及第二漏区，分别位于栅极沿第一方向相对两侧的主体部；其中，第一漏区、栅极以及第一源区用于构成所述第一保持晶体管，第二漏区、栅极以及第二源区用于构成所述第二保持晶体管。本公开实施例有利于在不增加版图面积的前提下，降低第一保持晶体管和第二保持晶体管的关断电流。

技术领域

本公开实施例涉及半导体技术领域，特别涉及一种字线驱动器以及存储装置。

背景技术

存储器是一种常见的半导体结构，随着半导体结构尺寸的连续缩小，使得芯片上可以并入更多数量的存储器，从而有助于产品容量的增加。在动态随机存取存储器(dynamic random access memory，DRAM)中，需要通过使用字线和位线向/从存储器单元中写入/读取数据，并基于施加到字线的电压来操作。

随着DRAM容量的增大，连接到一个字线的存储器单元的数量增加，并且字线之间的距离缩小，可能发生速度延迟问题。为了改善字线电压的延迟，可以将一个字线划分成多个子字线并通过使用子字线驱动器(sub word-line driver，SWD)驱动每个子字线，其中，子字线驱动器可以设置在字线驱动电路中。

发明内容

本公开实施例提供一种字线驱动器以及存储装置，至少有利于在不增加版图面积的前提下降低保持晶体管的关断电流。

根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种字线驱动器，包括：第一子字线驱动器，包括第一保持晶体管，所述第一保持晶体管被配置为，响应于驱动信号向第一字线提供第一预设电压；第二子字线驱动器，包括第二保持晶体管，所述第二保持晶体管被配置为，响应于所述驱动信号向第二字线提供所述第一预设电压；其中，所述第一保持晶体管以及所述第二保持晶体管包括：有源区，所述有源区包括：沿第一方向延伸的主体部以及与部分所述主体部相邻接且位于所述主体部一侧的凸出部，所述凸出部具有第一源区和第二源区；栅极，所述栅极至少位于所述主体部中与所述凸出部正对的部分区域上方；第一漏区以及第二漏区，分别位于所述栅极沿所述第一方向相对两侧的所述主体部；其中，所述第一漏区、所述栅极以及所述第一源区用于构成所述第一保持晶体管，所述第二漏区、所述栅极以及所述第二源区用于构成所述第二保持晶体管。

在一些实施例中，所述第一源区和所述第二源区为同一源区。

在一些实施例中，所述有源区还包括：第一凹陷部，所述第一凹陷部位于所述主体部内，且自所述主体部远离所述凸出部的侧壁向靠近所述凸出部的方向凹陷；所述栅极还位于所述第一凹陷部正上方。

在一些实施例中，所述第一凹陷部朝向所述凸出部的底面位于所述栅极正下方。

在一些实施例中，所述栅极覆盖整个所述第一凹陷部，且还覆盖在沿所述第一方向上与所述第一凹陷部邻近的所述主体部的部分区域。

在一些实施例中，所述第一凹陷部具有沿所述第一方向相对的两个端面；在沿所述第一方向上，邻近一所述端面的所述主体部被所述栅极覆盖的长度为第一长度，邻近另一所述端面的所述主体部被所述栅极覆盖的长度为第二长度，所述第一长度与所述第二长度相等。

在一些实施例中，所述栅极包括构成T型的第一部和第二部，所述第一部相对于所述第二部靠近所述凸出部，所述第一部作为T型的横边；所述第一凹陷部位于所述第二部在所述有源区的正投影内。

在一些实施例中，所述栅极在所述有源区上的正投影的形状包括矩形或者H形。