[发明专利]显示基板及显示装置在审
申请号: | 202211111570.9 | 申请日: | 2022-09-13 |
公开(公告)号: | CN115425053A | 公开(公告)日: | 2022-12-02 |
发明(设计)人: | 李正坤;李孟;王本莲;常小幻 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 蒋冬梅;曲鹏 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 显示装置 | ||
一种显示基板,包括:衬底、多个发光元件以及多个像素电路。多个发光元件包括多组发光元件。多组发光元件中的至少一组发光元件包括位于第一显示区的多个第一区域发光元件和位于第二显示区的多个第二区域发光元件。多个像素电路包括多组像素电路。多组像素电路中的至少一组像素电路包括多个第一类型像素电路和多个第二类型像素电路。多个第一区域发光元件至少包括:多个出射第一颜色光的第一发光元件和多个出射第二颜色光的第二发光元件。多个第一类型像素电路至少包括:多个第一像素电路和多个第二像素电路。至少一组发光元件中的多个第一发光元件电连接的多个第一像素电路与多个第二发光元件电连接的多个第二像素电路位于不同组像素电路。
技术领域
本文涉及但不限于显示技术领域,尤指一种显示基板及显示装置。
背景技术
有机发光二极管(OLED,Organic Light Emitting Diode)和量子点发光二极管(QLED,Quantum-dot Light Emitting Diode)为主动发光显示器件,具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度、轻薄、可弯曲和成本低等优点。屏下摄像技术是为了提高显示装置的屏占比所提出的一种全新的技术。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
本公开实施例提供一种显示基板及显示装置。
一方面,本公开实施例提供一种显示基板,包括:衬底、多个发光元件以及多个像素电路。衬底包括第一显示区和位于所述第一显示区至少一侧的第二显示区。多个发光元件位于所述第一显示区和所述第二显示区,所述多个发光元件包括多组发光元件,每组发光元件沿第一方向排布,所述多组发光元件沿第二方向排布,所述多组发光元件中的至少一组发光元件包括多个第一区域发光元件和多个第二区域发光元件,所述多个第一区域发光元件位于所述第一显示区,所述多个第二区域发光元件位于所述第二显示区。多个像素电路位于所述第二显示区,所述多个像素电路包括多组像素电路,每组像素电路沿所述第一方向排布,所述多组像素电路沿所述第二方向排布,所述多组像素电路中的至少一组像素电路包括多个第一类型像素电路和多个第二类型像素电路,所述多个第一类型像素电路间隔分布于所述多个第二类型像素电路之间。其中,所述多个第一类型像素电路中的至少一个第一类型像素电路与所述多个第一区域发光元件中的至少一个第一区域发光元件电连接,所述多个第二类型像素电路中的至少一个第二类型像素电路与所述多个第二区域发光元件中的至少一个第二区域发光元件电连接。所述多个第一区域发光元件至少包括:多个出射第一颜色光的第一发光元件和多个出射第二颜色光的第二发光元件;所述多个第一类型像素电路至少包括:多个第一像素电路和多个第二像素电路;所述多个第一发光元件与所述多个第一像素电路通过多条第一导电线电连接,所述多个第二发光元件与所述多个第二像素电路通过多条第二导电线电连接。所述至少一组发光元件中的多个第一发光元件电连接的多个第一像素电路与多个第二发光元件电连接的多个第二像素电路位于不同组像素电路;所述第一方向与所述第二方向交叉。
在一些示例性实施方式中,所述至少一组发光元件中的多个第一发光元件电连接的多个第一像素电路所在的像素电路组与多个第二发光元件电连接的多个第二像素电路所在的像素电路组在所述第二方向上相邻。
在一些示例性实施方式中,所述多个第一区域发光元件还包括:多个出射第三颜色光的第三发光元件;所述多个第一类型像素电路还包括:多个第三像素电路,所述多个第三发光元件与所述多个第三像素电路通过多条第三导电线电连接。所述至少一组发光元件中的多个第三发光元件电连接的多个第三像素电路与多个第一发光元件电连接的多个第一像素电路位于同一组像素电路;或者,所述至少一组发光元件中的多个第三发光元件电连接的多个第三像素电路与多个第二发光元件电连接的多个第二像素电路位于同一组像素电路。
在一些示例性实施方式中,所述第一导电线、所述第二导电线和所述第三导电线为同层结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的