[发明专利]纠错码(ECC)解码的方法和执行该方法的存储器系统在审

专利信息
申请号: 202211110168.9 申请日: 2022-09-13
公开(公告)号: CN116343893A 公开(公告)日: 2023-06-27
发明(设计)人: 李岗䄷;柳根荣;崔城赫;孙弘乐;黄映竣 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C29/42 分类号: G11C29/42;G06F11/10;H03M13/11
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 张军;张川绪
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 纠错码 ecc 解码 方法 执行 存储器 系统
【权利要求书】:

1.一种控制非易失性存储器装置的存储器控制器的纠错码ECC解码的方法,所述方法包括:

基于正常读取电压从非易失性存储器装置读取正常读取数据;

对所述正常读取数据执行第一ECC解码;

当第一ECC解码失败时,基于与阈值电压的翻转范围对应的翻转读取电压从非易失性存储器装置读取翻转读取数据;

通过对所述正常读取数据的位之中的包括在所述翻转范围中的错误候选位进行反转,基于所述翻转读取数据生成纠正后的读取数据;以及

对所述纠正后的读取数据执行第二ECC解码。

2.根据权利要求1所述的方法,还包括:

基于分布数据设置所述翻转范围,其中,所述分布数据指示非易失性存储器装置的保持特性的劣化程度。

3.根据权利要求2所述的方法,其中,设置所述翻转范围的步骤包括:

基于所述分布数据设置所述翻转范围的位置和大小中的至少一个。

4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述正常读取数据包括硬判决数据,所述硬判决数据基于包括在所述正常读取电压中的硬判决读取电压被读取并且指示存储在非易失性存储器装置中的数据,并且

其中,生成所述纠正后的读取数据的步骤包括:

通过对所述硬判决数据的位之中的包括在所述翻转范围中的所述错误候选位进行反转,基于所述翻转读取数据来生成所述纠正后的硬判决数据。

5.根据权利要求4所述的方法,其中,读取所述翻转读取数据的步骤包括:

基于高于所述硬判决读取电压的高翻转读取电压来读取高翻转读取数据,并且

其中,生成所述纠正后的硬判决数据的步骤包括:

对所述硬判决数据和所述高翻转读取数据执行逐位逻辑运算;以及

对所述错误候选位进行反转以生成所述纠正后的硬判决数据,其中,所述错误候选位被包括在所述硬判决读取电压与所述高翻转读取电压之间的所述翻转范围中。

6.根据权利要求4所述的方法,其中,读取所述翻转读取数据的步骤包括:

基于低于所述硬判决读取电压的低翻转读取电压来读取低翻转读取数据,并且

其中,生成所述纠正后的硬判决数据的步骤包括:

对所述硬判决数据和所述低翻转读取数据执行逐位逻辑运算;以及

对所述错误候选位进行反转以生成所述纠正后的硬判决数据,其中,所述错误候选位被包括在所述硬判决读取电压与所述低翻转读取电压之间的所述翻转范围中。

7.根据权利要求4所述的方法,其中,读取所述翻转读取数据的步骤包括:

基于高于所述硬判决读取电压的高翻转读取电压来读取高翻转读取数据;以及

基于低于所述硬判决读取电压的低翻转读取电压来读取低翻转读取数据。

8.根据权利要求7所述的方法,其中,生成所述纠正后的硬判决数据的步骤包括:

对所述硬判决数据和所述高翻转读取数据执行第一逐位逻辑运算,并且对所述硬判决数据和所述低翻转读取数据执行第二逐位逻辑运算;以及

对所述错误候选位进行反转以生成所述纠正后的硬判决数据,其中,所述错误候选位被包括在所述硬判决读取电压与所述高翻转读取电压之间的高翻转范围以及所述硬判决读取电压与所述低翻转读取电压之间的低翻转范围中。

9.根据权利要求7所述的方法,还包括:

基于分布数据设置所述高翻转读取电压和所述低翻转读取电压,其中,所述分布数据指示非易失性存储器装置的保持特性的劣化程度。

10.根据权利要求4所述的方法,还包括:

基于分布数据设置多个翻转范围,其中,所述分布数据指示非易失性存储器装置的保持特性的劣化程度;

顺序地生成分别与所述多个翻转范围对应的多个纠正后的数据中的每个,以对所述多个纠正后的数据中的每个顺序地执行第二ECC解码,直到对所述多个纠正后的数据中的一个的第二ECC解码成功为止。

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