[发明专利]一种晶体硅电池片切割分片钝化方法及其所用的设备在审
申请号: | 202211097974.7 | 申请日: | 2022-09-08 |
公开(公告)号: | CN115763618A | 公开(公告)日: | 2023-03-07 |
发明(设计)人: | 陈剑辉;张旭宁;李文恒;陈静伟;陈兵兵;杨学良;高青;王笑;郭建新;王淑芳 | 申请(专利权)人: | 河北大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/67;H01L31/0216 |
代理公司: | 石家庄领皓专利代理有限公司 13130 | 代理人: | 薛琳 |
地址: | 071000 河北省保*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶体 电池 切割 分片 钝化 方法 及其 所用 设备 | ||
本发明涉及电池片切割技术领域,提出了一种晶体硅电池片切割分片钝化方法,包括以下步骤:A、将待切割的电池片放置在传输装置上,传输装置将电池片向激光器方向输送;B、用激光器产生的激光切割电池片;C、向电池片上喷洒钝化液,电池片断裂产生新侧面,钝化液流向新侧面;D、将新侧面上的钝化液吹干,形成钝化层。解决了相关技术中激光切割划片后,新增侧面为高表面复合区,电池新增侧面不进行及时的钝化修复,会造成电池片的开路电压以及转化效率降低,最终的组件CTM值较低的问题。
技术领域
本发明涉及电池片切割技术领域,具体的,涉及一种晶体硅电池片切割分片钝化方法及其所用的设备。
背景技术
在日益严重的能源危机与环境污染背景下,光伏发电作为绿色环保可再生能源越发受到各国政府的青睐。其中,光伏组件是光伏发电系统的核心部分,对光伏组件而言,输出功率即为光伏组件将太阳能转化为电能的能力。传统的全电池组件技术使用全电池片进行组装,大面积的全电池片有较大的内部电流和线路电阻,意味着较高的内部效率损失,相应组件的输出功率、发电量也会受到较大影响。相比于传统的全电池组件技术,基于激光划片技术兴起的半片、叠瓦组件技术,将全电池切割成了半片、1/5片或1/6片,减少了内部电流和线路电阻,使功率损失降低,相应的输出功率、发电量也就增加了;同时由于内损耗降低,组件的工作温度也会下降,使其具有更高的光电转换效率。而且由于电池片面积减少,可以使电路设计更加科学,可以在一定程度上降低遮挡的影响,包括发电量减少、热斑等。因此,半片、叠瓦组件技术已成为主流的组件技术,而这些组件技术正是基于激光划片技术。
现有激光划片技术,利用激光对电池片进行局部快速加热,然后用冷却技术产生一个不均匀的温度场,从而诱发热应力的产生,其中激光光斑中处于压应力状态,而激光光斑前后处于拉应力状态,由于脆性材料抗压刚度远大于抗拉强度,当拉应力达到材料的断裂强度时,就会使材料发生断裂,断裂会随着激光及后续冷却的移动轨道稳定扩展,使其电池片断裂,断裂会随着激光及后续冷却的移动轨道稳定展开,实现电池片的切割。
基于激光划片技术,现有的激光划片设备包含传输装置、传感器、激光器、冷却装置、热处理装置等。电池片经过传输装置自动传输,激光器与冷却装置将电池片切割,后续热处理装置将残余冷却液蒸发清理。
现有技术的缺陷和不足是:激光切割划片后,新增侧面为高表面复合区,电池新增侧面不进行及时的钝化修复,会造成电池片的开路电压以及转化效率降低,最终的组件CTM值(组件输出功率与电池片功率总和的百分比)较低。
发明内容
本发明提出一种晶体硅电池片切割分片钝化方法及其所用的设备,解决了相关技术中激光切割划片后,新增侧面为高表面复合区,电池新增侧面不进行及时的钝化修复,会造成电池片的开路电压以及转化效率降低,最终的组件CTM值较低的问题。
本发明的技术方案如下:一种晶体硅电池片切割分片钝化方法,关键在于,所述方法包括以下步骤:
A、将待切割的电池片放置在传输装置上,传输装置将电池片向激光器方向输送;
B、用激光器产生的激光切割电池片;
C、向电池片上喷洒钝化液,电池片断裂产生新侧面,钝化液流向新侧面;
D、将新侧面上的钝化液吹干,形成钝化层。
步骤B中,激光器的位置不动,新侧面的长度方向与传输装置的输送方向相同。
一种晶体硅电池片切割分片钝化方法所用的设备,所述设备包括用来承载并输送电池片的传输装置、以及设置在传输装置上方的激光器,激光器的发射端朝向下方,设备还包括用来向电池片上喷洒钝化液的喷涂装置和用来将新侧面上的钝化液吹干的风淋装置,喷涂装置的喷头和风淋装置都位于传输装置上方且喷头位于激光器与风淋装置之间,喷头的喷出口和风淋装置的出风口都朝向下方。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的