[发明专利]可改善ESD的PD/APD芯片的P电极结构在审
| 申请号： | 202211080337.9 | 申请日： | 2022-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN115394869A | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 王权兵;徐之韬;赵雪妍;蔡阳光;易美军 | 申请（专利权）人： | 武汉敏芯半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/105 | 分类号： | H01L31/105;H01L31/0224;H01L31/0304 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 许美红 |
| 地址： | 430014 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 esd pd apd 芯片 电极 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种可改善ESD的光探测器芯片的P电极结构，其特征在于，P电极为环形的开口结构，与开口相对的环形位置处连接PAD电极。
2.根据权利要求1所述的可改善ESD的光探测器芯片的P电极结构，其特征在于，环形部分为月牙形，由两端向中间逐渐变粗。
3.根据权利要求1所述的可改善ESD的光探测器芯片的P电极结构，其特征在于，P电极与PAD电极交界处为环形加宽加厚处。
4.根据权利要求1所述的可改善ESD的光探测器芯片的P电极结构，其特征在于，P电极包括多个并联的环形开口结构。
5.一种PD光探测器芯片，其特征在于，其P电极为权利要求1-4中任一项所述的可改善ESD的光探测器芯片的P电极结构。
6.一种APD雪崩光电二极管芯片，其特征在于，其P电极为权利要求1-4中任一项所述的可改善ESD的光探测器芯片的P电极结构。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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