[发明专利]图像传感器在审
| 申请号: | 202211079156.4 | 申请日: | 2022-09-05 |
| 公开(公告)号: | CN115799280A | 公开(公告)日: | 2023-03-14 |
| 发明(设计)人: | 卞敬载;金晋永;罗承柱;郑熙根 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 赵南;肖学蕊 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 图像传感器 | ||
1.一种图像传感器,包括:
衬底,其包括第一区和包围所述第一区的第二区、所述第一区中的有源像素和所述第二区中的光学黑像素;
所述衬底中的感光元件;
所述感光元件上的平坦化层;
滤色器阵列层,其在所述衬底的所述第一区上的所述平坦化层上,所述滤色器阵列层包括滤色器;
光阻挡金属图案,其在所述衬底的所述第二区上的所述平坦化层上;
伪滤色器层,其在所述第二区的邻近于所述衬底的所述第一区的一部分上的所述光阻挡金属图案上;以及
所述滤色器阵列层上的微透镜。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,
所述第一区在平面图中具有矩形形状,并且
所述伪滤色器层在所述第二区的邻近于所述第一区的每个顶点的一部分上。
3.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,
所述第一区在平面图中具有矩形形状,并且
所述伪滤色器层在所述第二区的邻近于所述第一区的每条边的一部分上,以在平面图中具有矩形环形状。
4.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述伪滤色器层包括在实质上平行于所述衬底的上表面的水平方向上布置的多个伪滤色器。
5.根据权利要求4所述的图像传感器,其中,
所述滤色器阵列层包括在所述水平方向上布置的第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器,所述第一滤色器至所述第三滤色器具有彼此不同的颜色,并且
所述多个伪滤色器包括具有与所述第一滤色器相同颜色的第一伪滤色器。
6.根据权利要求5所述的图像传感器,其中,所述第一滤色器和所述第一伪滤色器过滤绿光。
7.根据权利要求5所述的图像传感器,其中,所述多个伪滤色器包括具有与所述第二滤色器相同颜色的第二伪滤色器。
8.根据权利要求7所述的图像传感器,其中,
所述第一伪滤色器在所述衬底的所述第二区的第一部分上,并且
所述第二伪滤色器在所述衬底的所述第二区的第二部分上,所述第一部分比所述第二部分更靠近所述衬底的所述第一区。
9.根据权利要求1所述的图像传感器,还包括所述衬底的所述第二区上的所述光阻挡金属图案上的光阻挡滤色器层,所述光阻挡滤色器层在实质上平行于所述衬底的上表面的水平方向上与所述伪滤色器层间隔开。
10.根据权利要求9所述的图像传感器,其中,
所述滤色器阵列层包括在所述水平方向上布置的第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器,所述第一滤色器至所述第三滤色器具有彼此不同的颜色,并且
所述光阻挡滤色器层包括与所述第二滤色器的材料实质上相同的材料。
11.根据权利要求10所述的图像传感器,其中,所述第二滤色器和所述光阻挡滤色器层过滤蓝光。
12.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,
所述滤色器阵列层包括在实质上平行于所述衬底的上表面的水平方向上布置的多个滤色器,并且
所述图像传感器还包括所述多个滤色器之间的干扰阻挡结构。
13.根据权利要求12所述的图像传感器,还包括在所述衬底的所述第二区上的所述平坦化层和所述光阻挡金属图案之间的屏障图案,
其中,所述干扰阻挡结构包括在实质上垂直于所述衬底的上表面的竖直方向上堆叠的第一干扰阻挡图案和第二干扰阻挡图案,并且
其中,所述第一干扰阻挡图案包括与所述屏障图案的材料实质上相同的材料,所述第二干扰阻挡图案包括与所述光阻挡金属图案的材料实质上相同的材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211079156.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种基于稳定环形水束的激光消融生物硬组织的装置及方法
- 下一篇:吹风机
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





