[发明专利]EUV级衬底、EUV掩模基版、EUV掩模版及其制造方法

权利要求书

1.一种EUV级衬底的制造方法，其特征在于，包括：

提供空白石英基板；

对所述空白石英基板的表层交替注入钛离子和氧离子，并进行热处理，以使得所述空白石英基板的表层形成为含氧化钛硅酸盐的石英膜层；

对所述含氧化钛硅酸盐的石英膜层的表面进行平坦化处理，进而形成EUV级衬底，且所述EUV级衬底表面在工作温度下的热膨胀系数小于或等于0.1ppm/℃。

2.如权利要求1所述的EUV级衬底的制造方法，其特征在于，所述空白石英基板为DUV级或更低等级的石英基板，在所述工作温度下的热膨胀系数小于或等于1ppm/℃。

3.如权利要求1所述的EUV级衬底的制造方法，其特征在于，注入钛离子和氧离子的能量范围分别为10KeV~1MeV，注入剂量范围为10¹⁴ cm^-3~10¹⁵cm^-3；和/或，所述热处理包括高温退火处理的步骤，所述高温退火处理的温度大于或等于1000℃，退火时间大于或等于1min。

4.如权利要求1所述的EUV级衬底的制造方法，其特征在于，对所述空白石英基板的表层交替注入钛离子和氧离子之前或之后或过程中，且在进行所述热处理之前，还对所述空白石英基板的表层注入掺杂剂，所述掺杂剂包括B、Al、Mg、Ca、Nb、Ta、Mn、Cu、Sn、F、Cl中的至少一种。

5.如权利要求1所述的EUV级衬底的制造方法，其特征在于，所述平坦化处理包括：旋涂膜层平坦化和/或化学机械平坦化。

6.如权利要求5所述的EUV级衬底的制造方法，其特征在于，所述旋涂膜层平坦化包括形成旋涂碳层的方式。

7.如权利要求6所述的EUV级衬底的制造方法，其特征在于，所述旋涂碳层的厚度小于或等于20nm。

8.如权利要求1所述的EUV级衬底的制造方法，其特征在于，所述含氧化钛硅酸盐的石英膜层的厚度范围为0.1μm~3μm。

9.如权利要求1所述的EUV级衬底的制造方法，其特征在于，所述含氧化钛硅酸盐的石英膜层中的钛含量自下而上逐渐增加。

10.一种EUV掩模基版的制造方法，其特征在于，包括：

采用如权利要求1~9中任一项所述的EUV级衬底的制造方法，形成EUV级衬底；

在所述EUV级衬底上依次形成反射膜堆栈层和吸收层，以形成EUV掩模基版。

11.如权利要求10所述的EUV掩模基版的制造方法，其特征在于，

在形成所述反射膜堆栈层之后且在形成所述吸收层之前，还包括：在所述反射膜堆栈层上形成覆盖层；以及，

在形成所述吸收层之后，还包括：在所述EUV级衬底背向所述反射膜堆栈层的表面上形成背面导电层。

12.一种EUV掩模版的制造方法，其特征在于，包括：

采用权利要求10或11所述的EUV掩模基版的制造方法，形成EUV掩模基版；

蚀刻所述EUV掩模基版的吸收层，以所述吸收层中形成第一图案；

蚀刻所述第一图案外围的所述EUV掩模基版的吸收层和反射膜堆栈层，且蚀刻停止在所述EUV掩模基版的EUV级衬底的表面上，以形成第二图案。

13.一种EUV级衬底，其特征在于，所述EUV级衬底表面的热膨胀系数小于或等于0.1ppm/℃，且所述EUV级衬底包括：

空白石英基板；

含氧化钛硅酸盐的石英膜层，形成在空白石英基板的表层上。