[发明专利]基板处理装置

说明书

本发明涉及基板处理装置，更详细地说，涉及通过高压及低压执行基板处理的基板处理装置。本发明公开了一种基板处理装置，包括：工艺腔室(100)，形成内部空间(S1)；基板支撑部(200)，在上面放置基板(1)；内盖部(300)，形成内部有所述基板支撑部(200)的密封的处理空间(S2)；气体供应部(400)，将工艺气体供应于所述处理空间(S2)；内盖驱动部(600)，驱动所述内盖部(300)的上下移动；填充部件(700)，设置在所述基板支撑部(200)与所述设置槽(130)的内面之间，以填充所述基板支撑部(200)与所述设置槽(130)的内面之间的空间中的至少一部分。

技术领域

本发明涉及基板处理装置，更详细地说，涉及通过高压及低压执行基板处理的基板处理装置。

背景技术

基板处理装置是对于诸如晶片的基板执行处理工艺，通常对于基板可执行蚀刻、沉积、热处理等。

此时，在通过沉积在基板上形成薄膜的情况下，要求在基板形成薄膜之后去除薄膜内杂质及改善薄膜特性的工艺。

尤其是，随着三维半导体器件，即具有高纵横比的基板的出现，为了满足阶梯覆盖率标准，将薄膜沉积温度低温化或者必然使用高杂质含量的气体，因此处于去除杂质变得更加困难的实情。

从而，要求一种基板处理方法及执行该方法的基板处理装置，在基板上成膜之后，通过除去存在于薄膜中的杂质可改善膜特性，没有薄膜特性劣化。

另外，除了基板上的薄膜以外，还存在因为在腔室内部残留的微量杂质等污染沉积的薄膜等的问题，因此需要对于包括支撑基板的基板支撑部的腔室内部去除杂质等。

为了改善这种问题，现有的韩国专利申请第10-2021-0045294A号公开一种基板处理方法，反复生成高压及低压环境，以减少基板表面及腔室内部的缺陷，进而改善薄膜特性。

然而，在现有的基板处理装置适用上述的基板处理方法的情况下，处理基板的处理空间的体积相对较大，因此存在无法实现快速的压力变换速度的问题。

另外，现有的基板处理装置存在无法实现在短时间内反复执行从低压的0.01Torr至高压的5Bar水平的大压力范围的工艺的问题。

另外，现有的基板处理装置存在如下的问题：在执行高压的基板处理时，密封处理空间的闸门阀无法承受压力而难以执行高压的基板处理，并且无法保障闸门阀的耐久性。

另外，为了在短时间内反复执行大压力范围的工艺，缩小处理基板的处理空间的体积的情况下，在处理空间产生的热向周边工艺腔室等的结构发生热损失，因此存在难以保持工艺温度并且降低加热效率的问题。

发明内容

(要解决的问题)

为了解决如上所述的问题，本发明的目的在于提供一种可提高大压力范围的压力变换速度的基板处理装置。

(解决问题的手段)

本发明是为了达到如上所述的本发明的目的而提出的，本发明公开了一种基板处理装置，包括：工艺腔室100，包括腔室主体110与顶盖140，所述腔室主体110为上部开放，在底面120中心侧形成设置槽130，并且在一侧包括用于进出基板1的闸门111，所述顶盖140结合于所述腔室主体110的上部以形成内部空间S1；基板支撑部200，内插地设置在所述腔室主体110的所述设置槽130，并且在上面放置基板1；内盖部300，可上下移动地设置在所述内部空间S1，通过下降，一部分紧贴于与所述设置槽130相邻的所述底面120，进而形成内部有所述基板支撑部200的密封的处理空间S2；气体供应部400，设置成与所述处理空间S2连通，以将工艺气体供应于所述处理空间S2；内盖驱动部600，贯通所述顶盖140设置，以驱动所述内盖部300的上下移动；填充部件700，设置在所述基板支撑部200与所述设置槽130的内面之间，以填充所述基板支撑部200与所述设置槽130的内面之间的空间中的至少一部分。