[发明专利]基片处理装置和基片处理方法

说明书

本发明提供有利于抑制颗粒对基片的附着的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括：处理腔室，其具有处理室和与处理室连接的排气室，能够在减压后的气氛的处理室收纳基片；气体供给部，其对处理室中的基片吹送具有比处理室的气氛高的压力的气体；以及温度调节部，其调节处理室和排气室中的至少任一者的气氛的温度，以使得处理室的气氛具有随着从基片的附近去往排气室而温度逐渐降低的温度分布。

技术领域

本发明涉及基片处理装置和基片处理方法。

背景技术

人们已知有向基片吹送气体来除去基片上的异物的技术。例如，根据专利文献1所公开的基片清洗方法，由多个气体分子构成的团簇(cluster)不离子化而与晶片碰撞，由此能够除去附着于基片的异物。在专利文献1的装置中，从基片被除去而飞散的异物在热泳力的作用下被吸引到设定为低温的冷却部而被捕捉。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-171584号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

在晶片(基片)的干式清洗处理中，通过向晶片的外周部吹送气体，在晶片上会附着大量的颗粒。其原因之一是，通过模拟可知，被吹送至晶片的外周部(特别是边缘部附近的部位)的气体的一部分向晶片的周围的空间流动，由此在该空间产生涡流，颗粒随着该涡流飞回晶片表面。

在减压后的处理室中进行这样的清洗处理的情况下，无法进行对处理室的吸气和排气，因此难以积极地控制处理室的气流以使得抑制颗粒对晶片的附着。另外，在处理室中晶片在水平方向上移动的情况下，在晶片的周围形成大体积的剩余空间，在该剩余空间中容易产生将颗粒向晶片引导的涡流等的气流。

本发明提供有利于抑制颗粒对基片的附着的技术。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的一个方式涉及一种基片处理装置，其包括：处理腔室，其具有处理室和与上述处理室连接的排气室，能够在减压后的气氛的上述处理室收纳基片；气体供给部，其对上述处理室内的上述基片吹送具有比上述处理室的气氛高的压力的气体；以及温度调节部，其调节上述处理室和上述排气室中的至少任一者的气氛的温度，以使得上述处理室的气氛具有随着从上述基片去往上述排气室而温度逐渐降低的温度分布。

发明效果

依照本发明，有利于抑制颗粒对基片的附着。

附图说明

图1是表示基片处理装置的一个例子的整体结构的平面图。

图2是表示基片清洗装置的一个例子的结构的图。

图3是表示气体喷嘴部的一个例子的图。

图4A是表示第一实施方式的基片清洗装置的一个例子的结构的图。

图4B是表示设置于图4A所示的处理腔室的处理底壁部的内部的致冷剂流路的一个例子的平面图。

图4C是表示设置于图4A所示的处理腔室的处理顶壁部的内部的致冷剂流路的一个例子的平面图。

图5是表示第二实施方式的基片清洗装置的一个例子的结构的图。

图6是表示第三实施方式的基片清洗装置的一个例子的结构的图。

图7是表示第四实施方式的基片清洗装置的一个例子的结构的图。

附图标记说明

30     基片清洗装置

31     处理腔室

32     处理室