[发明专利]基片处理装置和基片处理方法

权利要求书

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：

处理腔室，其具有处理室和与所述处理室连接的排气室，能够在减压后的气氛的所述处理室收纳基片；

气体供给部，其对所述处理室中的所述基片吹送具有比所述处理室的气氛高的压力的气体；以及

温度调节部，其调节所述处理室和所述排气室中的至少任一者的气氛的温度，以使得所述处理室的气氛具有随着从所述基片的附近去往所述排气室而温度逐渐降低的温度分布。

2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

所述温度调节部通过热泳而促进所述处理室中的颗粒向所述排气室的移动。

3.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：

所述处理室的气氛的温度为所述基片的温度以下。

4.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

所述气体供给部对所述基片吹送气体的团簇。

5.如权利要求1～4中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

在所述处理室中具有以使所述基片可旋转的方式保持所述基片的保持部。

6.如权利要求1～5中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

所述处理腔室具有划分所述处理室和所述排气室的划分壁部，

所述温度调节部通过所述划分壁部调节所述气氛的温度。

7.如权利要求6所述的基片处理装置，其特征在于：

所述温度调节部具有通过所述划分壁部对所述气氛进行冷却的冷却部。

8.如权利要求6所述的基片处理装置，其特征在于：

所述温度调节部具有通过所述划分壁部对所述气氛进行加热的加热部。

9.如权利要求6～8中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

所述温度调节部具有设置于所述划分壁部的内部的内部温度调节器。

10.如权利要求9所述的基片处理装置，其特征在于：

所述内部温度调节器具有在所述划分壁部的内部延伸的致冷剂流路，在距所述排气室相对较近的位置，致冷剂流体流入所述致冷剂流路，在距所述排气室相对较远的位置，所述致冷剂流体从所述致冷剂流路流出。

11.如权利要求9所述的基片处理装置，其特征在于：

所述内部温度调节器包括：第一致冷剂流路，其在所述划分壁部的内部设置于距所述排气室相对较近的位置；和第二致冷剂流路，其独立于所述第一致冷剂流路地设置在距所述排气室相对较远的位置，

流入所述第一致冷剂流路的致冷剂流体的温度低于流入所述第二致冷剂流路的致冷剂流体的温度。

12.如权利要求6～8中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

所述温度调节部具有设置于所述划分壁部的外部的外部温度调节器。

13.如权利要求6～12中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

所述排气室位于所述处理室的下方，

所述划分壁部包括：划分所述排气室的排气壁部；在所述处理室的侧方划分所述处理室的处理侧壁部；和在所述处理室的上方划分所述处理室的处理顶壁部，

所述温度调节部使所述排气壁部的温度低于所述处理侧壁部的温度，并且使所述处理侧壁部的温度低于所述处理顶壁部的温度。

14.如权利要求1～13中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

所述温度调节部通过所述基片对所述处理室的气氛的温度进行调节。

15.一种基片处理方法，其特征在于，包括：

调节处理室和排气室中的至少任一者的气氛的温度，以使得与所述排气室连接的所述处理室的减压后的气氛具有随着从所述处理室中的基片的附近去往所述排气室而温度逐渐降低的温度分布的步骤；以及

将具有比所述处理室的气氛高的压力的气体吹送到所述处理室中的所述基片的步骤。