[发明专利]直拉法拉制单晶硅棒的方法、单晶硅棒、硅片及外延硅片在审
| 申请号： | 202211049468.0 | 申请日： | 2022-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN115404539A | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 宋少杰;车贤湖;宋振亮;王晨阳 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/04 | 分类号： | C30B15/04;C30B15/20;C30B29/06;C30B23/02 |
| 代理公司： | 西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙) 61253 | 代理人： | 姚勇政;王渝 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 法拉 制单 晶硅棒 方法 单晶硅 硅片 外延 | ||
1.一种采用直拉法拉制单晶硅棒的方法，其特征在于，将用于拉制所述单晶硅棒的硅熔体的氮浓度调整成使得，拉制出的所述单晶硅棒中旨在被切割成硅片的节段的初始拉制部分的氮浓度大于7E13 atom/cm3。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，拉制出的所述单晶硅棒在冷却过程中的温度梯度满足0(Ge-Gc)/Ge0.2，其中，Ge为所述单晶硅棒的周缘处的轴向温度梯度，Gc为所述单晶硅棒的中心处的轴向温度梯度。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，拉制所述单晶硅棒的拉速V与所述单晶硅棒的周缘处的轴向温度梯度Ge之间的比值满足0.23V/Ge0.28，其中，所述拉速V的单位为mm/min，所述轴向温度梯度Ge的单位为K/mm。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，所述节段的末尾拉制部分的氮浓度小于1.4E15 atom/cm3。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述节段的初始拉制部分的氮浓度小于1.25E14 atom/cm3。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在整个拉制过程中，所述初始拉制部分在所述单晶硅棒刚刚发生转肩时形成，所述末尾拉制部分在所述单晶硅棒即将发生收尾时形成。
7.一种单晶硅棒，其特征在于，所述单晶硅棒由根据权利要求1至6中任一项所述的方法拉制而成。
8.一种硅片，其特征在于，所述硅片通过对根据权利要求7所述的单晶硅棒的所述节段进行切割而获得。
9.根据权利要求8所述的硅片，其特征在于，对所述节段中氮浓度大于9E13 atom/cm3的部分进行切割所得到的硅片分类为第一等级硅片，对所述节段中氮浓度小于等于9E13atom/cm3的部分进行切割所得到的硅片分类为第二等级硅片。
10.一种外延硅片，其特征在于，所述外延硅片通过对根据权利要求8或9所述的硅片进行外延生长而获得。
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