[发明专利]存储器及其操作方法以及存储系统及其操作方法

说明书

本公开涉及存储器及其操作方法以及存储系统及其操作方法。用于操作存储器的方法包括：激活多个行中的基于行地址而选择的行；在所选择的行被激活的情况下，接收计数命令；响应于计数命令从所选择的行的特定列的存储单元读取访问次数；增加访问次数；以及将增加的访问次数写入所选择的行的特定列的存储单元中。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年8月31日提交的第63/239401号美国临时专利申请和于2022年1月10日提交的第10-2022-0003359号韩国专利申请的优先权，两者均通过引用被整体合并于此。

技术领域

本发明的各个实施例涉及存储器以及包括其的存储系统。

背景技术

随着存储器的集成度增加，存储器中所包括的多个字线之间的间距减小。随着字线之间的间距减小，相邻字线之间的耦合效应增加。

此外，每当数据输入到存储单元或从存储单元输出时，字线会在激活状态和非激活状态之间切换。随着相邻字线之间的耦合效应增加，耦接到与频繁激活的字线相邻设置的字线的存储单元中的数据可能被损坏。这种现象被称为行锤击。由于在存储单元被刷新之前，存储单元的数据因字线干扰而被损坏，因此对于数据的完整性可能存在问题。

图1是示出行锤击的视图。图1示出了存储器中所包括的单元阵列的一部分。

在图1中，‘WLL’可以对应于具有大量激活次数的字线，而‘WLL-1’和‘WLL+1’可以是与‘WLL’相邻设置的字线，即，与具有大量激活次数的字线相邻设置的字线。此外，‘CL’可以表示耦接到‘WLL’的存储单元，‘CL-1’可以表示耦接到‘WLL-1'的存储单元，以及‘CL+1’可以表示耦接到‘WLL+1’的存储单元。每个存储单元可以包括单元晶体管TL、TL-1以及TL+1和单元电容器CAPL、CAPL-1以及CAPL+1。

在图1中，当‘WLL’被激活或去激活时，‘WLL-1’的电压和‘WLL+1’的电压可能因‘WLL’与‘WLL-1’和‘WLL+1’之间发生的耦合效应而升高或降低，而且会影响单元电容器CAPL-1和CAPL+1中的电荷量。因此，当‘WLL’被频繁地激活且‘WLL’在激活状态和去激活状态之间切换时，包括在‘CL-1’和‘CL+1’中的单元电容器CAPL-1和CAPL+1中所存储的电荷量的变化可能增加并且存储单元中的数据可能劣化。

此外，在字线在激活状态和去激活状态之间切换时生成的电磁波可能通过将电子引入到与相邻字线耦接的存储单元的单元电容器中或通过使电子从该单元电容器泄漏而损坏数据。

主要用于解决行锤击问题的方法包括检测已多次激活的行(字线)并且刷新与已多次激活的行相邻的行的方法。

发明内容

本发明的实施例涉及用于增加存储器防御行锤攻击的能力的技术。

根据本发明的实施例，用于操作存储器的方法包括：激活多个行中的基于行地址而选择的行；在所选择的行被激活的情况下，接收计数命令；响应于计数命令从所选择的行的特定列的存储单元读取访问次数；增加访问次数；以及将增加的访问次数写入所选择的行的特定列的存储单元中。

根据本发明另一个的实施例，用于操作存储器的方法包括：激活多个行中的基于行地址而选择的行；在所选择的行被激活的情况下，接收读取命令和特定列地址；响应于读取命令和特定列地址，从所选择的行的特定列的存储单元读取访问次数；增加访问次数；以及将增加的访问次数写入所选择的行的特定列的存储单元中。

根据本发明另一个的实施例，用于操作存储器的方法包括：激活多个行中的基于行地址而选择的行；在所选择的行被激活的情况下，接收写入命令和特定列地址；响应于写入命令和特定列地址，从所选择的行的特定列的存储单元读取访问次数；增加访问次数；以及将增加的访问次数写入所选择的行的特定列的存储单元中。