[发明专利]一种太阳电池及其制备工艺在审
| 申请号: | 202211042263.X | 申请日: | 2022-08-29 |
| 公开(公告)号: | CN115295638A | 公开(公告)日: | 2022-11-04 |
| 发明(设计)人: | 谈仕祥;王秀鹏;苏世杰;章伟冠;廖劫;郭忠君 | 申请(专利权)人: | 通威太阳能(成都)有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0745;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 程晓 |
| 地址: | 610000 四川省成都市双流*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 太阳电池 及其 制备 工艺 | ||
本申请提供一种太阳电池及其制备工艺,涉及太阳能电池生产制造领域。太阳电池的制备工艺包括:在光伏结构层的正面和背面形成透明导电膜层;在透明导电膜层的表面形成金属种子层;在金属种子层的表面形成图案化掩膜层以作为中间产物;图案化掩膜层的开口对应于金属栅线的位置;在中间产物的边缘部涂覆绝缘胶,干燥以获得绝缘胶层,然后在图案化掩膜层的开口内形成与金属种子层连接的金属基层,在金属基层的表面形成金属保护层。该制备工艺能够改善太阳电池在采用压力印刷的模式下产品良率低的技术问题。
技术领域
本申请涉及太阳能电池生产制造领域,具体而言,涉及一种太阳电池及其制备工艺。
背景技术
硅异质结太阳电池(HJT电池)是一种双面受光异质结太阳电池,具备生产工艺温度低、转换效率高、低温度系数、双面发电等特点,是目前商业化产品中高性价比,高技术难度的高效太阳电池。
现有的硅异质结太阳电池在制备过程中,在采用压力印刷的模式下容易发生因电池片隐裂产生碎片,并且位于HJT电池边缘的金属栅线高度不均且容易断栅等原因导致的产品良率低的问题。
发明内容
本申请实施例的目的在于提供一种太阳电池及其制备工艺,其能够改善太阳电池在采用压力印刷的模式下产品良率低的技术问题。
第一方面,本申请实施例提供一种太阳电池的制备工艺,其包括以下步骤:
在光伏结构层的正面和背面形成透明导电膜层;
在透明导电膜层的表面形成金属种子层;
先在金属种子层的表面形成图案化掩膜层以作为中间产物;
然后在中间产物的边缘部涂覆绝缘胶,干燥以获得绝缘胶层;
其中,图案化掩膜层的开口对应于金属栅线的位置;
在图案化掩膜层的开口内形成与金属种子层连接的金属基层,在金属基层的表面形成金属保护层。
在上述实现过程中,先形成掩膜层再形成绝缘胶层,相比于先形成绝缘胶层再形成掩膜层的方式,由于金属种子层的表面为平面,因此此时即使采用压力印刷的模式涂布掩膜层时不会造成光伏组件的隐裂,减少碎片的产生,从而提高光伏电镀电池的良率,并且上述设置条件下绝缘胶层不会影响掩膜层的厚度变化,因此可保证由绝缘胶层限制形成的金属栅线的高度均匀,降低断栅的产生,提高光伏电镀电池的良率。除此以外,由于先形成图案化掩膜层再形成绝缘胶层,相比于先形成绝缘胶层再形成掩膜层,可提前发现隐裂等问题,从而缩短解决问题周期,并且绝缘胶层的形成可根据图案化的金属栅线的位置进行调试,使得工艺流程也更加合理。
在一种可能的实施方案中,位于中间产物的侧壁的绝缘胶层的厚度≤10μm。
在一种可能的实施方案中,位于中间产物的侧壁的绝缘胶层的厚度为5-10μm。
在一种可能的实施方案中,绝缘胶层的两端延伸并包覆图案化掩膜层的边缘区,边缘区的宽度为0.3mm-0.5mm。
在一种可能的实施方案中,光伏结构层包括依次连接的正面N型非晶硅层、正面本征非晶硅层、N型单晶硅片、背面本征非晶硅层以及背面P型非晶硅层。
在一种可能的实施方案中,金属基层为Ni、Cu、Ag、In、Sn、Al、Cr、Au中的一种,或者,金属基层为Ni、Cu、Ag、In、Sn、Al、Cr、Au中的多种以堆叠的形式布置。
在一种可能的实施方案中,金属种子层的材质为铜,金属基层的材质为铜,金属保护层的材质为锡或银。
在一种可能的实施方案中,在金属基层的表面形成金属保护层的步骤后,制备工艺还包括:先去除绝缘胶层以及掩膜层,以暴露形成有金属保护层的金属基层,然后去除未被金属基层覆盖的金属种子层的部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





