[发明专利]芯片参数修调方法及装置

说明书

本发明公开了一种芯片参数修调方法及装置，其中芯片参数修调方法包括：对若干第一芯片分别进行修调：将若干第一修调码分别输入以测试得到对应的若干第一修调值；将所有第一修调值分别与第一芯片目标修调值比对；将最接近的第一修调值对应的第一芯片修调码作为第一最佳修调码；计算部分第一修调值的平均值以得到第一索引值，记录第一索引值和第一最佳修调码；将第一修调码分别输入第二芯片以测试得到多个第二修调值；计算多个第二修调值的平均值以得到第二索引值；查找得到最接近的第一索引值，并将对应的第一最佳修调码作为第二最佳修调码，有效地缩短了第二芯片的修调时间，提升修调芯片参数的效率。

技术领域

本发明涉及一种芯片参数修调技术领域，尤其涉及一种芯片参数修调方法及装置。

背景技术

半导体生产技术与设备越来越先进，但在制造过程中依然会出现缺陷，因此大部分有参考电压、参考电流等基准参数的芯片在设计时都会嵌入修调电路，以便在晶圆探针测试和封装测试时通过改变这些电路来纠正影响器件参数的工艺变化；

修调技术分为熔丝烧断修调，激光修调，电子熔丝修调，齐纳二极管短路修调，非挥发性存储单元修调等，其中非挥发性存储单元具有重复修调，修调精度高等优势。非挥发性存储单元芯片参数修调电路如图1所示通过存储单元控制K₀，K₁，K_N等N+1个开关来调整AB两点之间电阻，进而修调AB两点之间的参数(电压、电流等)。目前对于芯片参数修调step无规律的非挥发性存储单元的修调方法只能使用全搜索法，即需要输入所有的修调码，然后根据目标修调值来比对测试得到的修调值，直至找到最佳的修调码，全搜索法的精度最高，但n bit修调电路至少需要写入2ⁿ次，测试2ⁿ次，而一个晶圆包括两千多个芯片，芯片参数修调时间长、效率低。

发明内容

本发明的目的是提供一种芯片参数修调方法及装置，能够减少修调时间，有效地提高芯片参数的修调效率。

为了实现上述目的，本发明公开了一种芯片参数修调方法，其包括：

对若干第一芯片分别进行修调：

将若干第一修调码分别输入所述第一芯片以测试得到对应的若干第一修调值；

将所有第一修调值分别与第一芯片目标修调值比对；

将最接近所述第一芯片目标修调值的所述第一修调值对应的所述第一芯片修调码作为所述第一最佳修调码；

计算部分所述第一修调值的平均值以得到第一索引值，记录若干所述第一芯片的所述第一索引值和所述第一最佳修调码；

将该部分所述第一修调值对应的所述第一修调码分别输入第二芯片以测试得到对应的多个第二修调值，所述第二芯片和所述第一芯片为同一型号晶圆上的芯片；

计算所述多个第二修调值的平均值以得到第二索引值；

查找得到最接近所述第二索引值的所述第一索引值，并将最接近的所述第一索引值对应的所述第一最佳修调码作为所述第二芯片的第二最佳修调码。

可选地，所述多个第二修调值包括所述第二芯片的芯片参数的初始值、最大修调值和介于所述初始值与所述最大修调值之间的多个数值修调值，其中所述初始值是测试无修调码输入的所述第二芯片得到的芯片参数值，所述最大修调值是测试输入了最大修调码的所述第二芯片得到的芯片参数值；

所述“将该部分所述第一修调值对应的所述第一修调码分别输入第二芯片以测试得到对应的多个第二修调值”包括：

测试得到所述第二芯片的芯片参数的所述初始值；

将所述初始值与设定范围进行比对；

如果所述初始值处于所述设定范围，则测试得到所述多个第二修调值。