[发明专利]一种阵列基板及电子设备

说明书

本发明公开了一种阵列基板及电子设备，阵列基板包括衬底、光探测单元、第一膜层和薄膜晶体管；光探测单元位于衬底的一侧；第一膜层位于半导体层与衬底之间；第一膜层包括至少一层第一子膜层，第一子膜层为透光膜层；薄膜晶体管位于光探测单元远离衬底的一侧；薄膜晶体管与光探测单元电连接；光探测单元包括光探测子部，光探测子部在衬底上的正投影与薄膜晶体在衬底上的正投影不交叠；光线自衬底远离光探测单元的一侧射入阵列基板。本发明实施例的技术方案可以避免光探测单元的制备过程影响薄膜晶体管的性能。

技术领域

本发明涉及光探测技术领域，尤其涉及一种阵列基板及电子设备。

背景技术

光探测器广泛应用于消费电子、通讯设备、工业控制、智能仪表等多个领域，可以实现诸如指纹识别、摄像、X射线探测、红外线探测、荧光探测等各种不同的光探测功能。

光探测器可以包括光检测元件以及与光检测元件电连接的一个或多个光探测像素，光探测像素通常包括电连接的光探测单元和开关单元。在进行光探测期间，光检测元件通过控制开关单元的导通，可以接收到光探测单元基于光照而生成的光电感应信号(由于光照而产生的电信号)，从而可以实现光信号的探测。

光探测器通常包括光电二极管和薄膜晶体管，薄膜晶体管与其他检测电路配合从而实现光电信号检测。但是研究发现，现有的光探测器中薄膜晶体管容易发生特性偏移，而且不同区域的薄膜晶体管的特性偏移程度可能不同，从而导致光探测的检测精度和均一性下降。

发明内容

本发明提供了一种阵列基板及电子设备，以避免光探测单元的制备过程影响薄膜晶体管的性能。

第一方面，本发明提供了一种阵列基板，包括：

衬底；

光探测单元，位于衬底的一侧；沿垂直于衬底所在平面的方向，光探测单元包括层叠设置的第一电极、半导体层和第二电极，第一电极位于半导体层靠近衬底的一侧，第二电极位于半导体层远离衬底的一侧；

第一膜层，位于半导体层与衬底之间；第一膜层包括至少一层第一子膜层，第一子膜层为透光膜层；

薄膜晶体管，位于光探测单元远离衬底的一侧；薄膜晶体管与光探测单元电连接；光探测单元包括光探测子部，光探测子部在衬底上的正投影与薄膜晶体在衬底上的正投影不交叠；

光线自衬底远离光探测单元的一侧射入阵列基板。

第二方面，本发明提供了一种电子设备，具有光探测功能，包括光检测元件以及本发明任一实施例提供的阵列基板；光检测元件分别与薄膜晶体管和光探测单元电连接。

本发明实施例的技术方案，通过设置薄膜晶体管位于光探测单元远离衬底的一侧，从而可以在阵列基板的制备过程中，降低薄膜晶体管发生特性偏移的风险，保证光探测的精度和均一性；此外，通过设置光探测单元中存在光探测子部与薄膜晶体管在衬底上的正投影不交叠，使得光探测单元具有较大的光探测面积，提高光探测性能。

应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本发明的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本发明的范围。本发明的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视结构示意图；

图2是沿图1中AA’截取的阵列基板的剖面结构示意图；

图3是本发明实施例中光探测单元的半导体层和第一电极的一种俯视示意图；