[发明专利]一种阵列基板及电子设备

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

衬底；

光探测单元，位于所述衬底的一侧；沿垂直于所述衬底所在平面的方向，所述光探测单元包括层叠设置的第一电极、半导体层和第二电极，所述第一电极位于所述半导体层靠近所述衬底的一侧，所述第二电极位于所述半导体层远离所述衬底的一侧；

第一膜层，位于所述半导体层与所述衬底之间；所述第一膜层包括至少一层第一子膜层，所述第一子膜层为透光膜层；

薄膜晶体管，位于所述光探测单元远离所述衬底的一侧；所述薄膜晶体管与所述光探测单元电连接；所述光探测单元包括光探测子部，所述光探测子部在所述衬底上的正投影与所述薄膜晶体在所述衬底上的正投影不交叠；

光线自所述衬底远离所述光探测单元的一侧射入所述阵列基板。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极不透光，且所述第一电极在所述衬底上的正投影的面积小于所述半导体层在所述衬底上的正投影的面积。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极在所述衬底上的正投影位于所述半导体层在所述衬底上的正投影的至少部分边缘区域。

4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极为金属电极。

5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一膜层包括绝缘层和透明电极层；所述透明电极层与所述半导体层接触，所述绝缘层位于所述透明电极层与所述第一电极所在膜层之间；所述绝缘层包括第一过孔，所述透明电极层与所述第一电极通过所述第一过孔接触。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管为氧化物半导体晶体管。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述薄膜晶体管包括栅极、第一极和第二极，所述第一极和所述第二极均位于所述栅极远离所述衬底的一侧；所述薄膜晶体管的第一极与所述光探测单元的第二电极通过第二过孔电连接；

所述第一极为所述薄膜晶体管的源极，所述第二极为所述薄膜晶体管的漏极；或者，所述第一极为所述薄膜晶体管的漏极，所述第二极为所述薄膜晶体管的源极。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括偏置信号线、控制信号线和探测信号线；

所述偏置信号线具有与所述光探测单元的第一电极同层设置的部分，且与所述第一电极电连接，用于向所述第一电极传输反向偏置信号；

所述控制信号线具有与所述薄膜晶体管的栅极同层设置的部分，且与所述栅极电连接，用于向所述栅极传输开关控制信号；

所述探测信号线具有与所述薄膜晶体管的第二极同层设置的部分，且与所述第二极电连接，用于传输光电感应信号。

9.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括有源层和刻蚀阻挡结构；

所述有源层与所述栅极绝缘设置，且位于所述栅极远离所述衬底的一侧；

所述刻蚀阻挡结构位于所述有源层远离所述衬底的一侧，且所述刻蚀阻挡结构在所述衬底上的正投影的面积小于所述有源层在所述衬底上的正投影的面积；

所述第一极和所述第二极同层设置，且均与所述有源层接触。

10.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括存储电容；

所述存储电容包括第一电容极板和第二电容极板，所述第一电容极板与所述光探测单元的第二电极电连接，所述第二电容极板用于接收固定电位信号。

11.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电容极板和所述第二电容极板在所述衬底上的正投影均与所述光探测单元的第二电极在所述衬底上的正投影交叠。