[发明专利]一种闪存数据读取架构、方法及装置、芯片及存储介质

说明书

本申请涉及存储器技术领域，公开一种闪存数据读取架构、方法及装置、芯片及存储介质，其中，所述闪存数据读取架构，包括：读取操作控制模块，用于产生读取模式选择信号；第一电流比较模块，用于在复合数据读取模式下，将双分离栅存储单元输出的电流与基准电流进行比较，生成第一复合数据读取结果；第二电流比较模块，用于在复合数据读取模式下，将双分离栅存储单元输出的电流与基准电流和参考电流进行比较，生成第二复合数据读取结果；逻辑运算模块，用于得到混合复合数据读取结果；数据输出选择模块，用于在常规数据读取模式下，输出常规数据读取结果，在复合数据读取模式下，输出混合复合数据读取结果。

技术领域

本申请涉及存储器技术领域，例如涉及一种闪存数据读取架构、方法及装置、芯片及存储介质。

背景技术

目前，闪存（Flash Memory）在断电情况下仍能保持所存储的数据信息，是一种非易失性（Non-Volatile）存储器。闪存具有在电擦除和重复编程时不需要特殊的高电压、制作成本低以及存储密度大等特点，目前已成为非易失性半导体存储技术的主流。其中，双分离栅存储单元（Nord cell）传输效率很高，在1MB～4MB的小容量时具有很高的成本效益，因此双分离栅闪存是现在市场上主要的非易失性存储器之一。

然而，随着系统产品的升级更新，需要对闪存中存储的数据进行更新，升级过程会增加闪存中存储的数据，如果升级更新所需的数据大小超过闪存产品的最大容量，则必须更换更大容量的闪存产品。通常系统产品完成生产后很难对闪存产品固件进行更换，尤其是系统级封装产品（System In a Package，SIP），遇到此类瓶颈后，只能削减升级内容，舍弃部分升级功能，导致用户体验不佳。

发明内容

为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解，下面给出了简单的概括。所述概括不是泛泛评述，也不是要确定关键／重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围，而是作为后面的详细说明的序言。

本公开实施例提供了一种闪存数据读取架构、方法及装置、芯片及存储介质，以实现通过有限的存储位，表征更多数据。

在一些实施例中，所述闪存数据读取架构，包括：

读取操作控制模块，用于产生读取模式选择信号read_c，在read_c信号为高电平的情况下，进入常规数据读取模式，在read_c信号为低电平的情况下，进入复合数据读取模式；

第一电流比较模块，用于在复合数据读取模式下，将双分离栅存储单元输出的电流Icell与基准电流Iref1进行比较，生成第一复合数据读取结果Dout1；

第二电流比较模块，用于在复合数据读取模式下，将双分离栅存储单元输出的电流Icell与基准电流Iref1和参考电流Iref_com进行比较，生成第二复合数据读取结果Dout2；

逻辑运算模块，用于将所述第一复合数据读取结果Dout1与第二复合数据读取结果Dout2进行异或逻辑运算，得到混合复合数据读取结果Dout_mix；

数据输出选择模块，用于在常规数据读取模式下，输出常规数据读取结果Dout0，在复合数据读取模式下，输出混合复合数据读取结果Dout_mix；

其中，所述读取操作控制模块分别与所述第二电流比较模块的输入端和所述数据输出选择模块电连接，所述第一电流比较模块的输出端分别与所述逻辑运算模块的输入端和所述数据输出选择模块的输入端电连接，所述第二电流比较模块的输出端与所述逻辑运算模块的输入端电连接，所述逻辑运算模块的输出端与所述数据输出选择模块的输入端电连接。

在一些实施例中，本申请提供一种闪存数据读取方法，包括：

根据读取模式选择信号read_c，分别执行常规数据读取模式和复合数据读取模式；

在常规数据读取模式下，分别获取双分离栅存储单元的第一存储单元bit1的第一常规数据读取结果Dout01，以及所述双分离栅存储单元的第二存储单元bit2的第二常规数据读取结果Dout02；