[发明专利]一种半固化片及其制备方法与覆铜板

说明书

本发明公开了一种半固化片及其制备方法与覆铜板，所述半固化片的制备方法包括：将PTFE破乳胚料置于成型装置中挤压，得到若干PTFE片料，其中，成型装置包括压板和压槽，所述压槽的侧壁上设有狭缝；将所述若干PTFE片料叠放至所述成型装置中挤压，得到若干经过二次挤压的PTFE片料；重复上述对片材的挤压步骤，对所述PTFE片料进行循环挤压，得到PTFE半固化片坯料；将所述PTFE半固化片坯料烘干，得到半固化片。本发明通过采用结构简单的成型装置，得到具有较好尺寸稳定性、介电性能均匀稳定的半固化片，有利于后续加工及产品的稳定；此装置是利用PTFE纤维化后的材料特性，采用循环挤压的工艺路线，得到自支撑、较高力学强度的PTFE半固化片。

技术领域

本发明涉及半固化片制备技术领域，尤其涉及一种半固化片及其制备方法与覆铜板。

背景技术

目前常见的半固化片树脂组成基体有环氧树脂、碳氢树脂、PPO、PTFE等。在其中，各项性能最优异是PTFE，它是一种新型热塑性有机材料，可实现高频高速传输。PTFE具有优异化学惰性，极强的耐高低温性能、耐老化性、绝缘性、阻燃性以及优异的介电性能。现有的PTFE半固化片大都通过玻纤布浸渍PTFE乳液的上胶装置制备得到，这种上胶装置制备得到的覆铜板内部介电性能分布不均，影响后端高频应用场景。

目前不含玻纤布的PTFE半固化片大都通过柱塞挤出经压延或模压得到，针对PTFE材料来说，其机械性能无法保障。

因此，现有半固化片的制备方法还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种半固化片及其制备方法与覆铜板，旨在解决现有半固化片制备方法制备得到的半固化片内部填料分布不均、机械性能不稳定、介电性能不均一的问题。

一种半固化片的制备方法，其中，包括如下步骤：

S10、将PTFE破乳胚料置于成型装置中挤压，得到若干PTFE片料；

S20、将所述若干PTFE片料叠放至所述成型装置中挤压，得到若干经过二次挤压的PTFE片料；

S30、重复所述步骤S20若干次，对所述PTFE片料进行循环挤压，得到PTFE半固化片坯料；

S40、将所述PTFE半固化片坯料烘干，得到半固化片。

可选地，所述的半固化片的制备方法，其中，所述成型装置包括：压槽、与所述压槽适配的压板；所述压槽包括方形槽体和开设在所述方形槽体侧壁上同一高度的狭缝。

可选地，所述的半固化片的制备方法，其中，所述方形槽体包括：底板，四根立柱以及四块侧板；所述四根立柱固定在所述底板上，每块侧板均固定在相邻的两根所述立柱之间，所述四块侧板与所述底板构成一端开口的方形槽体；每块侧板的中部开设有一条所述狭缝，四条所述狭缝的尺寸、形状均相同。

可选地，所述的半固化片的制备方法，其中，所述狭缝的宽度为5-10mm；位于所述狭缝处的所述立柱为三角形的柱子。

可选地，所述的半固化片的制备方法，其中，所述步骤S10中挤压的压力为0.5-1MPa；所述步骤S20中挤压的压力为1-2MPa。

可选地，所述的半固化片的制备方法，其中，所述步骤S30中每次重复挤压时，挤压的压力依次递增，压力递增幅度为1-5MPa。

可选地，所述的半固化片的制备方法，其中，所述步骤S10具体包括：

将PTFE破乳胚料置于压槽中，对所述压板进行加热，加热温度为30-50℃；

用所述压板向下挤压所述PTFE破乳胚料，部分PTFE破乳胚料从狭缝处挤出，得到若干PTFE片料。