[发明专利]一种高密度集成基板结构和制造方法

权利要求书

1.一种高密度集成基板结构，其特征在于，所述基板结构包括：重布线层、高密度互连基板、填充封装层和焊料阵列；

所述重布线层进行电连接的两个相对表面为第一布线面和第二布线面；

所述高密度互连基板包括相对的第一互连面和第二互连面，所述第一互连面与所述第二布线面形成有效电连接；

所述填充封装层填充在所述第一布线面和所述第二互连面之间，覆盖所述重布线层和所述高密度互连基板；

所述焊料阵列包括互连焊料阵列和基板焊料阵列，所述互连焊料阵列设置于所述高密度互连基板的所述第一互连面与所述第二布线面之间，所述基板焊料阵列设置于所述高密度互连基板的所述第二互连面上。

2.根据权利要求1所述的高密度集成基板结构，其特征在于，所述填充封装层延伸至所述第二互连面以下，覆盖所述基板焊料阵列靠近所述第二互连面的部分。

3.根据权利要求1所述的高密度集成基板结构，其特征在于，所述基板结构还包括半导体芯片组，所述半导体芯片组位于所述第一布线面上，所述半导体芯片组包括相对的焊接面和外接面；所述半导体芯片组的焊接面与所述第一布线面电连接。

4.根据权利要求3所述的高密度集成基板结构，其特征在于，所述半导体芯片组包括电容、电感、电阻、电晶体开关、毫米波天线、图形处理器、电源管理单元、动态随机存储器、闪存、滤波器中的一种或一种以上的芯片或元器件。

5.根据权利要求1所述的高密度集成基板结构，其特征在于，所述重布线层包括依次层叠的多个线路层和多个电介质层，以及位于相邻两线路层之间的导电通孔。

6.根据权利要求5所述的高密度集成基板结构，其特征在于，每层线路层的线宽和线距自所述第一布线面向所述第二布线面逐渐缩小。

7.根据权利要求5所述的高密度集成基板结构，其特征在于，所述第一布线面上的导电线宽为1.5微米－5微米，导电线距为1.5微米－5微米。

8.一种高密度集成基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

提供一临时基底；

于所述临时基底上形成分离层；

于所述分离层上形成重布线层，所述重布线层设置电连接的两个相对表面为第一布线面和第二布线面，所述分离层与所述第一布线面接触；

于所述第二布线面上形成互连焊料阵列；

将高密度互连基板设置在所述第二布线面上，所述高密度互连基板包括相对的第一互连面和第二互连面；所述高密度互连基板的第一互连面通过所述互连焊料阵列与所述第二布线面形成有效电连接；

将基板焊料阵列设置在所述高密度互连基板的第二互连面上，所述基板焊料阵列与所述高密度互连基板的所述第二互连面形成有效电连接；

将填充封装层填充从所述第一布线面到所述第二互连面之间的区域，以覆盖所述重布线层和所述高密度互连基板；或所述填充封装层填充从所述第一布线面延伸到所述第二互连面以下，以覆盖所述重布线层、所述高密度互连基板和所述基板焊料阵列靠近第二互连面的部分；

通过所述分离层去除所述临时基底，以显露所述第一布线面。

9.根据权利要求8所述的高密度集成基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：将半导体芯片组设置在所述第一布线面上，所述半导体芯片组包括相对的焊接面和外接面；所述半导体芯片组的所述焊接面与所述第一布线面形成有效电连接。

10.根据权利要求8所述的高密度集成基板的制造方法，其特征在于，所述重布线层通过依次层叠多个线路层和多个电介质层形成，其中相邻两线路层之间通过导电通孔形成有效电连接。