[发明专利]一种用聚酰亚胺填充半导体器件管壳的方法

权利要求书

1.一种用聚酰亚胺填充半导体器件管壳的方法，其特征在于，该方法具体包括如下步骤：

1）将半导体器件通过排布、烧结、键合工艺装配在未封帽的管壳内；

2）在管壳内涂覆第一层聚酰亚胺；

3）将管壳放入具有保护气体气氛的烘箱中常温静置；

4）在管壳内涂覆第二层聚酰亚胺；

5）将管壳放入具有保护气体气氛的烘箱中常温静置；

6）在保护气体的气氛中，利用烘箱对聚酰亚胺做温度阶梯式固化处理。

2.根据权利要求1所述的一种用聚酰亚胺填充半导体器件管壳的方法，其特征在于：所述步骤2）中第一层聚酰亚胺通过悬涂工艺涂覆于管壳内，悬涂厚度及速率与管壳壁高度及管壳内器件台阶分布相匹配，悬涂速率为1500 rad/min ~ 4000 rad/min。

3.根据权利要求1所述的一种用聚酰亚胺填充半导体器件管壳的方法，其特征在于：所述步骤2）在管壳内涂覆第一层聚酰亚胺时，聚酰亚胺仅填充于管壳内部器件之间的缝隙，填充区域无气泡，悬涂后器件表面没有聚酰亚胺，聚酰亚胺上表面与相邻器件上表面处于同一个平面。

4.根据权利要求1所述的一种用聚酰亚胺填充半导体器件管壳的方法，其特征在于：所述步骤4）中第二层聚酰亚胺通过悬涂工艺涂覆于管壳内，悬涂厚度及速率与管壳壁高度及管壳内器件台阶分布相匹配，悬涂速率为100 rad/min ~ 2000 rad/min，小于第一层聚酰亚胺悬涂速率。

5.根据权利要求1所述的一种用聚酰亚胺填充半导体器件管壳的方法，其特征在于：所述步骤4）在管壳内涂覆第二层聚酰亚胺时，聚酰亚胺平坦地分布于管壳内，平坦分布状态下的表面高度高于管壳内的器件和键合丝的最高点，填充区域无气泡。

6.根据权利要求1所述的一种用聚酰亚胺填充半导体器件管壳的方法，其特征在于：所述步骤3）和步骤5）中烘箱内的保护气体气氛为氮气，烘箱内氮气压强稳定状态下，氧气含量低于100ppm。

7.根据权利要求1所述的一种用聚酰亚胺填充半导体器件管壳的方法，其特征在于：所述步骤3）和步骤5）中管壳在烘箱内的静置时间为0.5小时~16小时。

8.根据权利要求1所述的一种用聚酰亚胺填充半导体器件管壳的方法，其特征在于：所述步骤6）中的温度阶梯式固化处理包括预固化、去溶剂固化、聚酰亚胺固化、降温四个过程；

①预固化：烘箱由常温升至预固化温度，温度缓慢线性升高，升温时间不低于1小时，预固化温度范围为50℃~100℃，预固化维持时间为0.5小时~16小时；

②去溶剂固化：烘箱由预固化温度升至去溶剂固化温度，温度缓慢线性升高，升温时间需不低于2小时，去溶剂固化温度范围为100℃~180℃，去溶剂固化维持时间为0.5小时~12小时；

③聚酰亚胺固化：烘箱由去溶剂固化温度升至聚酰亚胺固化温度，温度缓慢线性升高，升温时间不低于2小时，聚酰亚胺固化温度范围为250℃~350℃，聚酰亚胺固化维持时间为0.5小时~6小时。

9.④降温：烘箱由聚酰亚胺固化温度降至常温，温度缓慢线性下降，降温时间不低于3小时。