[发明专利]前体输送系统及其方法

权利要求书

1.一种半导体处理系统，包括：

配置成容纳前体的前体源容器；

设置在次洁净区中的第一缓冲容积，前体源容器配置为向第一缓冲容积供应蒸发前体；

位于与次洁净区分开的处理区中的第二缓冲容积，第一缓冲容积配置为将蒸发前体传送到第二缓冲容积；

位于处理区中的反应室，第二缓冲容积配置为将蒸发前体传送到反应室。

2.根据权利要求1所述的半导体处理系统，还包括多个前体源容器。

3.根据权利要求1所述的半导体处理系统，其中，所述第一缓冲容积的入口通过一个或多个容器出口控制阀与所述前体源容器流体连通，并且第一缓冲容积的出口与所述第二缓冲容积流体连通，并且

其中，第二缓冲容积配置成将蒸发前体分配到所述反应室。

4.根据权利要求1所述的半导体处理系统，其中，所述前体源容器配置为通过至少一个容器入口控制阀与压力流量控制器(PFC)流体连通，以向源容器提供载气，并且其中，PFC配置为基于前体蒸汽压力与载气控制压力的比率来保持载气压力恒定。

5.根据权利要求1所述的半导体处理系统，还包括：

压力传感器，其配置为测量所述第一缓冲容积中的压力，以及

控制器，其配置为至少基于第一缓冲容积中的测量压力的反馈来控制至少一个容器入口控制阀和一个或多个容器出口控制阀中的至少一个的操作。

6.根据权利要求5所述的半导体处理系统，其中，所述控制器配置为当所述第一缓冲容积中的压力下降到低于预定值时填充第一缓冲容积。

7.根据权利要求1所述的半导体处理系统，其中，所述前体容器设置在容器温度区中，以保持在第一温度范围内，并且所述次洁净区设置在机柜温度区中，以保持在第二温度范围内。

8.根据权利要求1所述的半导体处理系统，其中，所述第二缓冲容积通过辐射加热、对流加热或接触加热而被加热。

9.根据权利要求1所述的半导体处理系统，其中，所述第一和第二缓冲容积的尺寸被设定为存储五至十倍的用于所述反应室的一(1)个循环的前体负载。

10.根据权利要求1所述的半导体处理系统，其中，所述第二缓冲容积设置在所述反应室附近。

11.根据权利要求1所述的半导体处理系统，其中，所述第一缓冲容积通过加热管连接到所述第二缓冲容积。

12.一种半导体处理系统，包括：

前体源容器，其配置为容纳蒸发前体；

第一缓冲容积，其配置为接收来自前体源容器的蒸发前体；

第二缓冲容积，其配置为接收来自第一缓冲容积的蒸发前体；以及

与第二缓冲容积流体连通定位的多个反应室。

13.根据权利要求12所述的半导体处理系统，其中，所述第一缓冲容积的入口通过一个或多个容器出口控制阀与所述前体容器流体连通，并且第一缓冲容积的出口与所述第二缓冲容积流体连通，并且

其中，输送到第二缓冲容积的蒸发前体通过平台中枢被分配到每个反应室。

14.根据权利要求13所述的半导体处理系统，其中，所述第一和第二缓冲容积的尺寸被设定为存储5-10倍的用于同时运行的平台中枢上的所有多个反应室的一个(1)循环的前体负载。

15.根据权利要求14所述的半导体处理系统，其中，第三缓冲容积连接到所述平台中枢。

16.根据权利要求13所述的半导体处理系统，还包括多个前体源容器，其中每个前体源容器配置为通过至少一个容器入口控制阀与相应的压力流量控制器(PFC)流体连通，以向源容器提供载气。