[发明专利]减反射膜及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种减反射膜，其特征在于，所述减反射膜包括基材以及镀载在基材上的吸收膜层；

所述吸收膜层包括交替层叠设置的至少一层由Ti_xSi_yN材料制得的吸收层，至少一层的低折射率层和至少一层的高折射率层；

所述吸收膜层的厚度为100～1000nm，所述吸收膜层中由Ti_xSi_yN材料制得的吸收层的总厚度≤55nm，且不为0nm。

2.根据权利要求1所述的减反射膜，其特征在于，所述由Ti_xSi_yN材料制得的吸收层在可见光范围内的吸收率为0～50％，面电阻＞100MΩ/cm²；

优选地，Ti_xSi_yN结构式中：0x0.19，0.81y1，x+y＝1；

更优选地，Ti_xSi_yN结构式中：0.08x0.16，0.84y0.92，x+y＝1。

3.根据权利要求1所述的减反射膜，其特征在于，所述吸收膜层的膜系层数≥5层。

4.根据权利要求1所述的减反射膜，其特征在于，所述吸收膜层中单层由Ti_xSi_yN材料制得的吸收层的厚度为1～55nm，优选为5～20nm，更优选为7～10nm。

5.根据权利要求1所述的减反射膜，其特征在于，所述高折射率层的材质为TiO₂、Nb₂O₅、Si₃N₄、Al₂O₃和AlN中的至少一种，优选为Si₃N₄；

优选地，所述低折射率层的材质为SiO₂、MgF₂和NaF中的至少一种，优选为SiO₂。

6.根据权利要求1所述的减反射膜，其特征在于，所述减反射膜还包括任选的氟代物层，所述氟代物层设置于减反射膜的吸收膜层上，且不与由Ti_xSi_yN材料制得的吸收层相接触设置。

7.一种根据权利要求1～6任一项所述的减反射膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

提供基材，随后在基材上交替镀高折射率层、低折射率层和由Ti_xSi_yN材料制得的吸收层，制得减反射膜；

任选地，所述制备方法还包括将氟代物层镀载于减反射膜上的步骤。

8.根据权利要求7所述的减反射膜的制备方法，其特征在于，所述镀载的方法包括物理气相沉积或化学气相沉积，优选为物理气相沉积中的离子镀、热蒸发或溅射沉积中的任意一种；

优选地，所述吸收膜层中的由Ti_xSi_yN材料制得的吸收层由溅射沉积法制得；所述溅射沉积法中Ti功率为8～20KW，Si功率为2～15KW，icp功率1～5KW，N2流量为50～500sccm，镀膜时间为50～300S。

9.根据权利要求7所述的减反射膜的制备方法，其特征在于，所述镀膜的温度为50-240℃，镀膜的时间为10-60min；

优选地，所述基材为铝硅酸盐玻璃。

10.一种根据权利要求1～6任一项所述的减反射膜在制备触屏一体黑显示器件中的应用。