[发明专利]一种特种气体安全控制方法和半导体工艺设备有效
| 申请号: | 202210905961.1 | 申请日: | 2022-07-29 |
| 公开(公告)号: | CN115354312B | 公开(公告)日: | 2023-10-13 |
| 发明(设计)人: | 刘畅;荣延栋;胡云龙;刘旭 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;C23C16/14;H01L21/3205;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 冯俊峰 |
| 地址: | 100176 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 特种 气体 安全 控制 方法 半导体 工艺设备 | ||
1.一种特种气体安全控制方法,其特征在于,应用于半导体工艺设备,所述半导体工艺设备包括:工艺腔室、控制电路;所述控制电路包括用于控制第一气体对应阀门通断的第一电路、用于控制第二气体对应阀门通断的第二电路和用于控制第三气体对应阀门通断的第三电路,所述方法包括:
获取所述工艺腔室的压力值;
在所述压力值大于预设压力阈值的情况下,当需要打开所述第二气体对应阀门和所述第三气体对应阀门时,控制所述第一电路断开,控制所述第二电路和所述第三电路接通,以使所述第一气体对应阀门关闭、所述第二气体对应阀门和所述第三气体对应阀门打开;
当需要打开所述第一气体对应阀门时,控制所述第一电路闭合,以及控制所述第二电路和所述第三电路断开,以使所述第一气体对应阀门打开、所述第二气体对应阀门和所述第三气体对应阀门关闭。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:
在所述压力值小于或等于所述预设压力阈值的情况下,控制所述第一电路、所述第二电路和所述第三电路接通,以使所述第一气体对应阀门、所述第二气体对应阀门和所述第三气体对应阀门打开。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述控制电路还包括:第一继电器、第二继电器和第三继电器,所述方法还包括:
获取所述工艺腔室的压力值,当所述压力值大于所述预设压力阈值时,通过所述第一继电器控制所述第二继电器接通以及所述第三继电器断开,以使所述第二继电器控制所述第一电路、所述第二电路和所述第三电路的通断;
当所述压力值小于或等于所述预设压力阈值时,通过所述第一继电器控制所述第二继电器断开以及所述第三继电器接通,以使所述第三继电器控制所述第一电路、所述第二电路和所述第三电路的通断。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述第一继电器包括第一对常闭触点和第一对常开触点;所述当所述压力值大于预设压力阈值时,通过所述第一继电器控制所述第二继电器接通以及所述第三继电器断开,以使所述第二继电器控制所述第一电路、所述第二电路和所述第三电路的通断,包括:
当所述压力值大于所述预设压力阈值时,通过所述第一继电器控制所述第一对常开触点保持断开状态,以控制所述第三继电器断开,以及通过所述第一继电器控制所述第一对常闭触点保持闭合状态,以控制所述第二继电器接通,以使所述第二继电器控制所述第一电路、所述第二电路和所述第三电路的通断。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述第二继电器包括第二对常闭触点、第二对常开触点和第三对常开触点;所述在所述压力值大于预设压力阈值的情况下,当需要打开所述第二气体对应阀门和所述第三气体对应阀门时,控制所述第一电路断开,控制所述第二电路和所述第三电路接通,以使所述第一气体对应阀门关闭、所述第二气体对应阀门和所述第三气体对应阀门打开,包括:
通过所述第二继电器控制所述第二对常闭触点断开,控制所述第一电路断开,以及通过所述第二继电器控制所述第二对常开触点和所述第三对常开触点闭合,控制所述第二电路和所述第三电路接通,以使所述第一气体对应阀门关闭、所述第二气体对应阀门和所述第三气体对应阀门打开。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述当需要打开所述第一气体对应阀门时,控制所述第一电路闭合,以及控制所述第二电路和所述第三电路断开,以使所述第一气体对应阀门打开、所述第二气体对应阀门和所述第三气体对应阀门关闭,包括:
通过所述第二继电器控制所述第二对常闭触点保持闭合状态,控制所述第一电路接通,以及通过所述第二继电器控制所述第二对常开触点和所述第三对常开触点保持断开状态,控制所述第二电路和所述第三电路断开,以使所述第一气体对应阀门打开、所述第二气体对应阀门和所述第三气体对应阀门关闭。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





