[发明专利]数据通信系统、方法和CVD镀膜设备在审
申请号: | 202210870345.7 | 申请日: | 2022-07-22 |
公开(公告)号: | CN115058701A | 公开(公告)日: | 2022-09-16 |
发明(设计)人: | 高阔;孙文彬 | 申请(专利权)人: | 无锡邑文电子科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;H04B1/40 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 张欣欣 |
地址: | 214028 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 数据通信 系统 方法 cvd 镀膜 设备 | ||
本发明实施例提出一种数据通信系统、方法和CVD镀膜设备,涉及数据通信领域。在该数据通信系统中,中央处理器与多个分线盒通过串联的方式依次通信连接,当需要获取信号时,中央处理器仅需要将数据获取信息发送至当前连接的分线盒,该分线盒再将数据获取信息发送至与之相邻的下一个分线盒,以此使得每个分线盒都能获取到数据获取信息,在每个分线盒获取到数据获取信息时,即向相邻前一个分线盒发送传感器检测信号,以此使得每个分线盒都将传感器检测信号发送至中央处理器;通过上述系统,只需要一条通信线路,即可完成信号的获取,减少了线缆的数量多,不再需要航插,使得线路简单,减少了出错。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,具体而言,涉及一种数据通信系统、方法和CVD镀膜设备。
背景技术
化学气相沉积(CVD)是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法,是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术。目前国内企业生产的CVD设备是由于需要在基质表面上镀膜,因此,需要设备各种接收和发送信号的传感器。但是,目前的CVD镀膜设备中传感器的数量较多,传感器采集后的信号利用分线盒进行接收,分线盒自带有线缆,利用端子转接的方式,将传感器的信号传输给处理器,其中,每个传感器信号都需要设置对应的线缆,并且线缆的连接还需要经过航插,不仅线缆的数量多,而且航插引脚密集,线路连接不方便,容易出错。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提供一种数据通信系统、方法和CVD镀膜设备,以解决CVD设备线缆的数量多,航插引脚密集,线路连接不方便,容易出错的问题。
为了实现上述目的,本发明实施例采用的技术方案如下:
第一方面,本发明提供一种数据通信系统,应用于CVD镀膜设备,所述数据通信系统包括中央处理器和多个分线盒,所述多个分线盒以串联的方式依次通信连接,所述中央处理器与所述多个分线盒中的第一个分线盒或者最后一个分线盒通信连接;每个所述分线盒连接有一个或多个传感器;
所述中央处理器用于向当前连接的分线盒发送数据获取信息;
每个所述分线盒用于将接收到的所述数据获取信息发送给相邻的后一个分线盒,以使所有分线盒都接收到所述数据获取信息,并在接收到所述数据获取信息后,向所述中央处理器反馈收集到的传感器检测信号;
其中,未与所述中央处理器相连的分线盒用于将自身收集到的传感器检测信号、收到的由相邻的后一个分线盒发送的传感器检测信号,发送给相邻的前一个分线盒;与所述中央处理器相连的分线盒用于将自身收集到的传感器检测信号、收到的由相邻的后一个分线盒发送的传感器检测信号,发送给所述中央处理器,以使所述中央处理器获得所有分线盒收集到的传感器检测信号。
在可选的实施方式中,所述数据通信系统还包括耦合器,所述中央处理器通过所述耦合器与所述多个分线盒中的第一个分线盒或者最后一个分线盒通信连接;
所述耦合器用于将所述中央处理器发送的数据获取信息转发至所述多个分线盒中的第一个分线盒或者最后一个分线盒;
所述耦合器还用于将所述多个分线盒中的第一个分线盒或者最后一个分线盒发送的传感器检测信号转发至所述中央处理器。
在可选的实施方式中,所述分线盒包括信号获取单元和信号转发单元,所述信号获取单元和所述信号转发单元电连接,所述信号获取单元与一个或多个传感器电连接,所述信号转发单元与所述中央处理器或者相邻的前一个分线盒的信号获取单元通信连接;
所述信号获取单元用于获取所述传感器检测到的传感器检测信号或者接收相邻的后一个分线盒发送的传感器检测信号,并将所述传感器检测信号发送至所述信号转发单元;
所述信号转发单元用于将接收的所述传感器检测信号发送至相邻的前一个分线盒的信号获取单元,或者发送至所述中央处理器。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的