[发明专利]显示面板、显示装置及显示面板的制备方法在审
申请号: | 202210869383.0 | 申请日: | 2022-07-22 |
公开(公告)号: | CN115207069A | 公开(公告)日: | 2022-10-18 |
发明(设计)人: | 胡春静;王红丽;吴桐;崔颖 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人: | 张相钦 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 制备 方法 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括:
衬底;
位于所述衬底上的发光层,所述发光层包括多个子像素,所述子像素包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极与第二电极之间的发光材料层;其中不同颜色子像素的排列方向为第一方向,相同颜色子像素的排列方向为第二方向;
位于所述衬底上的像素限定层,所述像素限定层与所述发光层同层设置,所述像素限定层包括位于相同颜色子像素之间的第一挡墙,以及位于不同颜色的子像素之间的第二挡墙;沿所述第一方向排布有多个所述第一挡墙,每个所述第一挡墙的宽度小于等于所述发光材料层在所述第一方向上的宽度;所述第二挡墙的延伸方向与所述第二方向相同;所述第一挡墙与所述第二挡墙围成与所述子像素一一对应的像素开口;
其中,所述第一挡墙包括亲液层,所述第二挡墙包括亲液层和位于所述亲液层背离所述衬底一侧的疏液层;所述第一挡墙背离所述衬底的表面低于所述第二挡墙背离所述衬底的表面。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一方向为行方向,所述第二方向为列方向;或者,所述第一方向为列方向,所述第二方向为行方向;所述多个子像素包括第一子像素、第二子像素和第三子像素,所述第一子像素、第二子像素和第三子像素在所述第一方向上交替排布。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二挡墙在所述第二方向上贯穿整个显示区域,多个所述第一挡墙彼此间隔地沿所述第一方向排布于所述显示区域。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板包括位于所述衬底与所述像素限定层之间的平坦层;所述平坦层设有凹陷,所述第一挡墙的排布方向与所述第二挡墙的延伸方向的交汇处在所述平坦层上的投影的位置与所述凹陷重合;所述第二挡墙的部分亲液层位于所述凹陷中。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板包括位于所述衬底与所述像素限定层之间的平坦层;所述平坦层设有凹槽,所述凹槽与所述第二挡墙在所述平坦层上的投影重合;所述第二挡墙的亲液层位于所述凹槽中。
6.根据权利要去1所述的显示面板,其特征在于,所述第一挡墙的高度的取值范围为0.2μm~1.0μm;所述第二挡墙的高度的取值范围为1.0μm~1.7μm。
7.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括权利要求1至6任一项所述的显示面板。
8.一种显示面板的制备方法,所述制备方法用于制备权利要求1至6任一项所述的显示面板,其特征在于,所述制备方法包括:
在衬底上形成第一挡墙和第二挡墙;
其中,形成第一挡墙的步骤包括:在衬底上形成第一像素限定材料层,所述第一像素限定材料层为亲液层;
对所述第一像素限定材料层进行图案化以形成位于相同颜色的子像素之间的第一挡墙,所述第一挡墙的排布方向与所述第一方向相同,每个所述第一挡墙的宽度小于等于发光材料层在所述第一方向上的宽度;
形成第二挡墙的步骤包括:在衬底上形成第二像素限定材料层,所述第二像素限定材料层包括亲液层和位于所述亲液层上方的疏液层;
对所述第二像素限定材料层进行图案化以形成位于不同颜色的子像素之间的第二挡墙,所述第二挡墙的延伸方向与所述第二方向相同;
所述第一挡墙与所述第二挡墙围成与所述子像素一一对应的像素开口,并且所述第一挡墙背离所述衬底的表面低于所述第二挡墙背离所述衬底的表面,在所述像素开口中添加墨水。
9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,形成的所述第一挡墙的宽度小于发光材料层在所述第一方向上的宽度。
10.根据权利要求8所示的制备方法,其特征在于,在衬底上形成第一像素限定材料层之前,在所述平坦层上设置凹陷,所述第一挡墙的排布方向与所述第二挡墙的延伸方向的交汇处在所述平坦层上的投影的位置与所述凹陷重合;所述第二挡墙的部分亲液层填充于所述凹陷中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的