[发明专利]一种适用于MEMS压力传感器的带温补电桥平衡结构

权利要求书

1.一种适用于MEMS压力传感器的带温补电桥平衡结构，其包括由第一压敏电阻R1、第二压敏电阻R2、第三压敏电阻R3、第四压敏电阻R4构成的惠斯通电桥，所述第一压敏电阻R1、第二压敏电阻R2串联形成第一串联电路，所述第三压敏电阻R3、第四压敏电阻R4串联形成第二串联电路，所述第一串联电路和第二串联电路并联且一端连接电源电压VCC、另一端连接地GND，所述第一压敏电阻R1与第二压敏电阻R2之间的节点和第三压敏电阻R3与第四压敏电阻R4之间的节点用来输出电压；

其特征在于：所述惠斯通电桥与地GND之间串联有第一限幅电阻R；所述第四压敏电阻R4的两端并联有第一调零电阻Ro-，或者所述第一压敏电阻R1的两端并联有第二调零电阻Ro₊。

2.根据权利要求1所述的一种适用于MEMS压力传感器的带温补电桥平衡结构，其特征在于：所述第一调零电阻Ro-、第二调零电阻Ro₊和第一限幅电阻R均选用正温度系数的电阻或者负温度系数的电阻。

3.根据权利要求1所述的一种适用于MEMS压力传感器的带温补电桥平衡结构，其特征在于：当实际输出的零点电压0时，所述第四压敏电阻R4的两端并联第一调零电阻Ro-。

4.根据权利要求3所述的一种适用于MEMS压力传感器的带温补电桥平衡结构，其特征在于：所述第一调零电阻Ro-的阻值设置为：

，

其中R1、R2、R3、R4分别为第一压敏电阻R1、第二压敏电阻R2、第三压敏电阻R3、第四压敏电阻R4的阻值；为第四压敏电阻R4并联第一调零电阻Ro-之后的阻值，

，

其中VCC为测量零点电压时的电源电压值，为实际输出的零点电压值。

5.根据权利要求4所述的一种适用于MEMS压力传感器的带温补电桥平衡结构，其特征在于：当满量程电压的目标值为时，第一限幅电阻R的阻值设置为：

，

其中为满量程测量时第四压敏电阻R4并联第一调零电阻Ro-之后的等效阻值，

。

6.根据权利要求1所述的一种适用于MEMS压力传感器的带温补电桥平衡结构，其特征在于：当实际输出的零点电压0时，所述第一压敏电阻R1的两端并联第二调零电阻Ro₊。

7.根据权利要求6所述的一种适用于MEMS压力传感器的带温补电桥平衡结构，其特征在于：所述第二调零电阻Ro₊的阻值设置为：

，

其中R1、R2、R3、R4分别为第一压敏电阻R1、第二压敏电阻R2、第三压敏电阻R3、第四压敏电阻R4的阻值；为第一压敏电阻R1并联第二调零电阻Ro₊之后的阻值，

，

其中VCC为测量零点电压时的电源电压值，为实际输出的零点电压值。

8.根据权利要求7所述的一种适用于MEMS压力传感器的带温补电桥平衡结构，其特征在于：当满量程电压的目标值为时，第一限幅电阻R的阻值设置为：

，

其中为满量程测量时第一压敏电阻R1并联第二调零电阻Ro₊之后的等效阻值，

。

9.根据权利要求1所述的一种适用于MEMS压力传感器的带温补电桥平衡结构，其特征在于：所述第四压敏电阻R4的两端并联有第一调零电阻Ro-，并且所述第一压敏电阻R1的两端并联有第二调零电阻Ro₊。

10.根据权利要求1所述的一种适用于MEMS压力传感器的带温补电桥平衡结构，其特征在于：所述惠斯通电桥与地GND之间串联的第一限幅电阻R替换为第二限幅电阻R5，所述惠斯通电桥与电源电压VCC之间还串联有第三限幅电阻R6，所述第二限幅电阻R5和第三限幅电阻R6的阻值均为第一限幅电阻R的阻值的一半。