[发明专利]流动阻力产生单元及包括其的基板处理装置

说明书

本发明提供设置在管道内以稳定内部气流的流动阻力产生单元及包括其的基板处理装置。基板处理装置包括壳体；支承单元，设置在壳体内部，并且在两侧支承基板；加热部件，设置于壳体的侧壁，并且用于产生用于处理基板的热量；流体供应单元，用于向壳体的内部供应用于处理基板的流体，并且包括上部流体供应部、下部流体供应部和供应管道，上部流体供应部用于向基板的上部供应流体，下部流体供应部用于向基板的下部供应流体，供应管道与上部流体供应部和下部流体供应部中的至少一个流体供应部连接；以及流动阻力产生单元，设置于供应管道，并且对通过供应管道的流体产生流动阻力，其中，流动阻力产生单元设置在供应管道所包括的曲管与流体供应部之间。

技术领域

本发明涉及流动阻力产生单元及包括其的基板处理装置。更详细地，本发明涉及能够应用于为制造半导体元件而进行的基板清洗工艺的流动阻力产生单元及包括其的基板处理装置。

背景技术

半导体元件制造工艺可以在半导体元件制造设备中连续地执行，并且可以分为前工艺和后工艺。半导体制造设备可以设置在定义为FAB(Fabrication Plant，制造工厂)的空间，以制造半导体元件。

前工艺是指在晶片(Wafer)上形成电路图案以完成芯片(Chip)的工艺。前工艺可以包括在晶片上形成薄膜的沉积工艺(Deposition Process)、利用光掩模(Photo Mask)将光刻胶(Photo Resist)转印到薄膜上的曝光工艺(Photo Lithography Process)、利用化学物质或反应性气体来选择性地去除不需要的部分以在晶片上形成期望的电路图案的蚀刻工艺(Etching Process)、去除蚀刻后残留的光刻胶的灰化工艺(Ashing Process)、向与电路图案连接的部分注入离子以使其具有电子元件特性的离子注入工艺(IonImplantation Process)、去除晶片上的污染源的清洗工艺(Cleaning Process)等。

后工艺是指对通过前工艺完成的产品的性能进行评价的工艺。后工艺可以包括检查晶片上的各个芯片是否工作以筛选优良品和不良品的一次检查工艺、通过切片(Dicing)、贴片(Die Bonding)、焊线(Wire Bonding)、成型(Molding)、标记(Marking)等对各个芯片进行切割和分离以使其具有产品的形状的封装工艺(Package Process)、通过电特性检查、老化(Burn In)检查等来对产品的特性和可靠性进行最终检查的最终检查工艺等。

发明内容

清洗工艺可以通过依次执行用药液(Chemical)去除基板上的杂质的工艺、用纯水(例如，去离子水(DIW：De-Ionized Water))清洗药液的工艺、对基板进行干燥的工艺等来执行。

在对基板进行干燥的工艺的情况下，可以向其中布置有基板的容器(Vessel)的内部供应超临界流体以处理基板。然而，用于向容器供应超临界流体的管道由多个曲管(BentPipe)构成。因此，由于曲管而在管道内发生超临界流体的流动不均匀，并且在容器内的喷出部中发生流动不均匀。

此外，由于这种现象，涂布在容器内的基板上的显影液因不均匀的流场而不均匀地干燥，并且因此产生聚集性微粒(particle)。

本发明要解决的技术问题是提供设置在管道内以稳定内部气流的流动阻力产生单元及包括其的基板处理装置。

本发明的技术问题不限于上述技术问题，本领域的技术人员可以通过下面的记载清楚地理解未提及的其它技术问题。