[发明专利]上电复位电路

权利要求书

1.一种上电复位电路，其特征在于，包括：延时模块和第一反相器；所述延时模块的第一端和所述第一反相器的第一端分别用于与电源电连接；所述延时模块的第二端和所述第一反相器的第二端接地；所述延时模块的第三端与所述第一反相器的第三端电连接；所述第一反相器的第四端用于与数字电路电连接；

所述延时模块，用于在所述电源传输的电信号由低电平变化为高电平时，生成用于控制充电时长的电流，并利用所述电流进行充电，并在充电完成时将生成的输出电信号传输至所述第一反相器；

所述第一反相器，用于在所述输出电信号的电压达到预设反向电压阈值时，将所述输出电信号进行反相，得到上电复位信号并传输至所述数字电路。

2.根据权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于，所述延时模块包括电流生成单元和延时单元；所述电流生成单元的第一端所述电源电连接，所述电流生成单元的第二端接地，所述电流生成单元的第三端与所述延时单元一端电连接；所述延时单元的另一端接地；

所述电流生成单元，用于在所述电源传输的电信号由低电平变化为高电平时，生成控制充电时长的电流，并将所述电流传输至所述延时单元；

所述延时单元，用于利用所述电流进行充电；

所述电流生成单元，还用于在所述延时单元充电完成时，将生成的所述输出电信号传输至所述第一反相器。

3.根据权利要求2所述的上电复位电路，其特征在于，所述电流生成单元包括第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管；

所述第一MOS管的第一端和所述第三MOS管的第一端分别与所述电源电连接；所述第一MOS管的第三端与所述第三MOS管的第二端电连接；所述第一MOS管的第二端与所述第二MOS管的第一端电连接，所述第二MOS管的第二端接地；所述第三MOS管的第三端与所述延时单元的一端电连接；其中，所述第二MOS管为倒比例管。

4.根据权利要求3所述的上电复位电路，其特征在于，所述第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管均为PMOS管；所述第一MOS管的源级和所述第三MOS管的源级分别与所述电源电连接；所述第一MOS管的漏极与所述第二MOS管的源级电连接，所述第二MOS管的漏极接地；所述第一MOS管的漏极和所述第三MOS管的栅极分别与所述第一MOS管的栅极电连接；所述延时单元一端和所述第一反相器的第三端分别与所述第三MOS管的漏极电连接。

5.根据权利要求2-4任一项所述上电复位电路，其特征在于，所述延时单元包括第四MOS管；所述第四MOS管为NMOS管；所述电流生成单元的第三端和所述第一反相器的第三端分别与所述第四MOS管的栅极电连接；所述第四MOS管的源级和漏极均接地。

6.根据权利要求5所述上电复位电路，其特征在于，所述第一反相器包括第五MOS管和第六MOS管；

所述第五MOS管为PMOS管；所述第六MOS管为NMOS管；所述第五MOS管的源级与所述电源电连接，所述第五MOS管的漏极与所述第六MOS管的漏极电连接，所述第六MOS管的源级接地；所述第五MOS管和所述第六MOS管的第一公共端和所述延时模块的第三端电连接。

7.根据权利要求1-4任一项所述的上电复位电路，其特征在于，还包括：泄电模块；

所述泄电模块的第一端与所述电源电连接；所述泄电模块的第二端接地；所述泄电模块的第三端与所述延时模块电连接；

所述泄电模块，用于在所述电源提供的电信号由高电平转向低电平时导通；

所述延时模块，用于在所述泄电模块导通时泄放存储的电荷。

8.根据权利要求7所述的上电复位电路，其特征在于，所述泄电模块包括第七MOS管和第八MOS管；

所述第七MOS管和所述第八MOS管均为PMOS管；所述第七MOS管的源级与所述电源电连接，所述第七MOS管的栅极和漏极均与所述第八MOS管的栅极电连接；所述第八MOS管的漏极接地，所述第八MOS管的源级与所述延时模块电连接。