[发明专利]一种新型HBC太阳能电池的制备方法

说明书

本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种新型HBC太阳能电池的制备方法，通过对单晶硅基体进行抛光，后对单晶硅基体进行正面制绒，以及对制绒后的单晶硅基体背面蒸发沉积NiOx薄膜，对单晶硅基体背面沉积本征氢化非晶硅层，通过激光对背面的本征氢化非晶硅层和NiOx薄膜进行开槽，开出N型材料要沉积的区域，采用HF对单晶硅基体进行表面疏水处理，对单晶硅基体背面依次沉积本征氢化非晶硅层和n型氢化非晶硅层，正面依次沉积本征氢化非晶硅层和SiNx层，通过激光对背面本征氢化非晶硅层和n型氢化非晶硅层进行开槽，使NiOx层露出，背面沉积TCO层等步骤，使得制备的HBC电池成本更低、产能大，且掩膜层极易被剥离的技术问题。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种新型HBC太阳能电池的制备方法。

背景技术

叉指型背接触异质结单晶硅太阳电池(Interdigitated Back Contact SiliconHeterojunction Solar Cell，简称HBC太阳电池)兼具叉指型背接触太阳电池(Interdigitated back contact Solar Cell，简称IBC太阳电池)和带有薄本征层的异质结太阳电池(Heterojunction with Intrinsic Thin-layer Solar Cell，简称HIT太阳电池)的优点，既移除了前表面金属电极，减少了遮光损失，获得了较大的短路电流，又通过在重掺的非晶硅与晶体硅之间插入了一层高质量的本征非晶硅钝化层大幅降低了界面态，减少了表面复合，提高了开路电压，是目前世界上光电转换效率最高的单晶硅太阳电池。

但是，目前常规HBC电池在进行图形化时常选择氮化硅或者氧化硅作为掩膜层，在进行后湿法清洗时，由于非晶硅和氮化硅的粘附力太差，导致掩膜层极易被剥离，最终导致其掩膜功能失效，因此，合适的被掩膜材料和掩膜材料对于HBC电池的成型起到至关重要的作用；同时HBC电池常采用PECVD设备进行非晶硅的制备，众所周知，由于非晶硅的物理特性，非晶硅的制备温度必须低于200摄氏度，这样低的沉积温度就导致非晶硅远不如高温设备制备的材料的稳定性更高，其次常用的沉积非晶硅的PECVD需要考虑均匀性和性能，每次所能达到的产能极低，极大的限制了未来量产化的需求；并且PECVD设备造价格昂贵，回款周期长，导致HBC电池的单片成本较高，这也间接影响了其量产的进程。

公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在加深对本公开总体背景技术的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成本领域技术人员所公知的现有技术。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供一种新型HBC太阳能电池的制备方法，在HBC电池背面沉积一层NiOx薄膜作为缓冲材料，解决目前HBC太阳能电池制备成本高、不易量产、且掩膜层极易被剥离的技术问题。

为了达到上述目的，本发明所采用的技术方案是：一种新型HBC太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：

S1：对单晶硅基体进行预清洗、抛光和再清洗；

S2：对单晶硅基体进行正面制绒；

S3：采用ALD法或PEALD法对制绒后的单晶硅基体背面蒸发沉积NiOx薄膜；

S4：采用PECVD法对单晶硅基体背面沉积本征氢化非晶硅层；

S5：通过激光对背面的本征氢化非晶硅层和NiOx薄膜进行开槽，开出N型材料要沉积的区域；

S6：采用HF对单晶硅基体进行表面疏水处理；

S7：采用PECVD法对单晶硅基体背面依次沉积本征氢化非晶硅层和n型氢化非晶硅层，正面依次沉积本征氢化非晶硅层和SiNx层；

S8：通过激光对背面本征氢化非晶硅层和n型氢化非晶硅层进行开槽，使NiOx层露出；

S9：背面沉积TCO层。