[发明专利]一种新型HBC太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种新型HBC太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：对单晶硅基体进行预清洗、抛光和再清洗；

S2：对单晶硅基体进行正面制绒；

S3：采用ALD法或PEALD法对制绒后的单晶硅基体背面蒸发沉积NiOx薄膜；

S4：采用PECVD法对单晶硅基体背面沉积本征氢化非晶硅层；

S5：通过激光对背面的本征氢化非晶硅层和NiOx薄膜进行开槽，开出N型材料要沉积的区域；

S6：采用HF对单晶硅基体进行表面疏水处理；

S7：采用PECVD法对单晶硅基体背面依次沉积本征氢化非晶硅层和n型氢化非晶硅层，正面依次沉积本征氢化非晶硅层和SiNx层；

S8：通过激光对背面本征氢化非晶硅层和n型氢化非晶硅层进行开槽，使NiOx层露出；

S9：背面沉积TCO层。

2.根据权利要求1所述的新型HBC太阳能电池的制备方法，其特征在于，在对单晶硅进行正面制绒时，需要先在背面沉积一层SiNx作为保护层，在制绒结束后，再采用HF溶液和HCl溶液去除掉。

3.根据权利要求2所述的新型HBC太阳能电池的制备方法，其特征在于， 所述步骤S4中，NiOx薄膜的沉积源为溶解于稀盐酸的碳酸镍和氧气。

4.根据权利要求1所述的新型HBC太阳能电池的制备方法，其特征在于， 所述步骤S4中，NiOx薄膜的厚度范围为20-50nm。

5.根据权利要求1所述的新型HBC太阳能电池的制备方法，其特征在于，在步骤S6中，单晶硅基体进入一个稀释的硫酸槽，对开槽区域彻底去除NiOx残留，随后再采用HF进行处理。

6.根据权利要求1所述的新型HBC太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤S5和步骤S8的开槽区域图形化和金属化图形保持一致。

7.根据权利要求1所述的新型HBC太阳能电池的制备方法，其特征在于， 在步骤S9之前，需采用稀释的KOH溶液去除槽内残留的本征氢化非晶硅和n型氢化非晶硅。

8.根据权利要求1所述的新型HBC太阳能电池的制备方法，其特征在于，在步骤S9之后，需使用波长为532nm的绿光纳秒激光进行绝缘，并测试PN区的绝缘电阻值。

9.根据权利要求1所述的新型HBC太阳能电池的制备方法，其特征在于， 所述步骤S1中，具体采用5%-9%浓度的KOH溶液对单晶硅基体进行预清洗，借助抛光机并采用3%-8%浓度的KOH溶液对单晶硅基体进行抛光处理，采用KOH溶液和双氧水溶液对单晶硅进行再清洗。

10.根据权利要求1所述的新型HBC太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤S7中，本征氢化非晶硅层的厚度范围为15-30nm，n型氢化非晶硅层的厚度范围为20-40nm，本征氢化非晶硅层的厚度范围为15-30nm，SiNx层的厚度范围为80±20nm。