[发明专利]薄膜晶体管阵列基板和显示装置

说明书

本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板和显示装置。半导体层包括沟道部分、位于沟道部分的一侧上并包括第一主导电化部分和第一子导电化部分的第一导电化部分、以及位于沟道部分的另一侧上并包括第二主导电化部分和第二子导电化部分的第二导电化部分。栅极绝缘膜位于沟道部分上。第一辅助电极位于第一主导电化部分上。第一电极位于第一辅助电极上。第二辅助电极位于第二主导电化部分上。第二电极位于第二辅助电极上。第三电极位于栅极绝缘膜上并与沟道部分交叠。第一辅助电极和第二辅助电极各自包含导电氧化物。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年10月1日提交的韩国专利申请第10-2021-0131187号的优先权，该申请用于所有目的通过引用并入本文，如同在本文中完整阐述一样。

技术领域

实施方式涉及一种薄膜晶体管(TFT)阵列基板和显示装置。

背景技术

晶体管在电子装置领域被广泛用作开关器件或驱动器件。特别地，可以在玻璃基板或塑料基板上制造的薄膜晶体管被广泛用作诸如液晶显示(LCD)装置或有机发光显示装置等显示装置的开关器件。

根据其半导体层的材料，薄膜晶体管可分为将非晶硅用于半导体层的非晶硅(a-Si)薄膜晶体管、将多晶硅用于半导体层的多晶硅(poly-Si)薄膜晶体管、以及将氧化物用于半导体层的氧化物薄膜晶体管。

由于可以在短时间内沉积非晶硅以形成有源层，因此非晶硅膜晶体管在制造工艺时间短和制造成本低方面是有利的。然而，由于非晶硅薄膜晶体管具有低电流驱动能力和由于低迁移率而导致的阈值电压变化，因此不利地限制了非晶硅薄膜晶体管在有机发光显示装置中的使用。

多晶硅薄膜晶体管是通过沉积非晶硅然后使沉积的非晶硅结晶而形成的。由于多晶硅薄膜晶体管的制造工艺需要非晶硅结晶工艺，因此增加了工艺步骤的数量，从而增加了制造成本。此外，由于结晶工艺是在高处理温度下进行的，因此难以在大面积器件中使用多晶硅薄膜晶体管。此外，由于多晶硅的特性，多晶硅薄膜晶体管难以获得均匀性。

在氧化物半导体薄膜晶体管的情况下，有源层的氧化物膜可以在相对低的温度下形成。此外，氧化物半导体薄膜晶体管具有高迁移率并且取决于其氧含量具有显着的电阻变化。氧化物半导体薄膜晶体管有利地容易获得预期的物理特性。此外，由于氧化物特性，透明氧化物晶体管有利于实现透明显示器。然而，为了在薄膜晶体管中使用氧化物半导体层，需要形成到源极电极和漏极电极的连接的单独的导电工艺。

发明内容

在现有技术的薄膜晶体管中，当栅极绝缘膜位于半导体层上并且栅电极位于栅极绝缘膜上时，源极电极和半导体层的导电化部分(conductorized portion)可以通过栅极绝缘膜的接触孔连接，并且漏极电极和半导体层的导电化部分可以连接。这里，在形成栅极绝缘膜的接触孔的蚀刻工艺中，半导体层的导电化部分可能被损坏，这是有问题的。对此，本申请的发明人发明了一种薄膜晶体管阵列基板和显示装置，具有能够防止半导体层的导电化部分被损坏的薄膜晶体管结构。

实施方式可以提供薄膜晶体管阵列基板和显示装置，其具有能够防止半导体层的导电化部分被损坏的薄膜晶体管结构。

实施方式可以提供具有薄膜晶体管结构的薄膜晶体管阵列基板和显示装置，该薄膜晶体管结构能够防止半导体层的导电化部分被损坏并且防止产生不必要的寄生电容。

实施方式可以提供具有薄膜晶体管结构的薄膜晶体管阵列基板和显示装置，该薄膜晶体管结构能够防止半导体层的导电化部分被损坏并且防止半导体层的沟道部分和栅极电极之间的未对准结构。

实施方式可以提供一种薄膜晶体管阵列基板和具有薄膜晶体管结构的显示装置，该薄膜晶体管结构能够降低半导体层的沟道部分的表面在处理过程中被污染或损坏的可能性。

实施方式可以提供薄膜晶体管阵列基板和包括薄膜晶体管的显示装置，其中可以实现高性能、高稳定性和高可靠性。